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[会议论文] 作者：刘维一,李凤岩,薛玉明,张加友,运输工程学院基础部(天津),汤会香,杨德仁,朴英美,周志强,李长键,孙云,
来源：中国第七届光伏会议 年份：2002
制备CIS薄膜太阳电池吸收层,金属预置层固态Se源后硒化法是一种低成本、安全简便的工艺.该方法制备的CIS薄膜其晶相表观结构与电学特性,主要由Cu、In元素配比、衬底温度、升温速率以及硒气浓度来决定.要使Cu、In、Se完全形成CuInSe薄膜,其衬底温度一定要大于395......
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