搜索筛选:
搜索耗时2.0386秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 3 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：连传昕,
来源：山东大学 年份：2004
氮化镓(GaN)是一种直接宽带隙半导体材料,具有优异的物理和化学性质,是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光二极管、激光二极管和光电探测器等光电子器件的重要材料.该文...
[期刊论文] 作者：连传昕, 李向阳, 刘骥,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
利用400～1200nm波段的椭圆偏振光谱对生长在蓝宝石衬底上的非故意掺杂纤锌矿氮化镓(GaN)外延薄膜进行了研究.通过拟合实验数据获得了GaN薄膜的厚度和在可见-近红外区域的折射...
[会议论文] 作者：连传昕,李向阳,刘骥,
来源：2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会 年份：2003
本文报道了离子刻蚀前后氮化镓(GaN)薄膜的拉曼光谱,通过分析拉曼光谱中的E模和纵光学声子(LO)与等离子激元形成的耦合模(LPP)的高频支在离子刻蚀前后的变化,发现离子刻蚀后G...
相关搜索：
