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[学位论文] 作者：邓二平,,
来源：华北电力大学(北京) 年份：2018
柔性直流输电技术的快速发展对其核心装备中电力电子器件的容量和可靠性提出了严苛的要求,尤其是模块化多电平换流阀和高压直流断路器。压接型IGBT器件相比于传统焊接式IGBT...
[期刊论文] 作者：任斌,邓二平,黄永章,
来源：智能电网(汉斯) 年份：2019
随着高压直流输电和电力机车等领域的不断发展,高压大功率IGBT器件作为其中重要的电力电子器件,其可靠性问题得到了国内外研究机构的广泛关注。为给高压大功率领域可靠性设计...
[期刊论文] 作者：王延浩,邓二平,黄永章,
来源：中国电力 年份：2020
户外工况下,功率器件寿命受高湿环境中的水汽侵蚀缩短。用于考核湿度可靠性的传统高温高湿反偏测试最大值80V偏压已不能满足高压大功率器件加速老化测试需求,高温高湿高压反...
[期刊论文] 作者：孟鹤立,邓二平,王文杰,黄永章,
来源：机车电传动 年份：2021
得益于技术的进步,SiC MOSFET器件中的体二极管可靠性有极大的提升,并在部分领域和模块中取代了续流二极管.文章基于浪涌电流试验,对不同沟道状态下SiC MOSFET器件浪涌能力进行了深入研究首先,搭建了浪涌电流试验平台,对CREE和Infineon两家公司的器件进行了浪涌......
[期刊论文] 作者：孟鹤立,邓二平,应晓亮,黄永章,
来源：中国电机工程学报 年份：2021
长期以来,栅极老化一直是SiC MOSFET器件可靠性研究的关键,而偏置温度不稳定性则是栅极老化的重要现象.由于栅极老化的偏置温度不稳定性存在应力撤出后的恢复现象,如能在可靠...
[期刊论文] 作者：孟鹤立, 邓二平, 常桂钦, 黄永章,
来源：半导体技术 年份：2022
栅极一直是SiC MOSFET可靠性研究的重点,栅极老化过程中电参数之间的耦合关系对栅极可靠性研究有至关重要的作用。为此,搭建了能够同时监测阈值电压和栅极漏电流的高温栅偏（HTGB）试验平台。研究了HTGB下阈值电压和漏电流的退化趋势和影响,基于氧化层注入电荷量深......
[期刊论文] 作者：郭佳奇, 张一鸣, 邓二平, 崔翔,
来源：华北电力大学学报(自然科学版) 年份：2020
柔性直流输电技术的飞速发展，对换流阀用压接型IGBT器件的可靠性要求进一步提高。目前针对压接IGBT可靠性寿命模型的研究存在不足，一方面，大多数模型对接触问题考虑不全面，物理模型为焊接形式或不能滑动的联合体，不符合实际物理机理，因此可靠性模型不能全面真实反映实......
[期刊论文] 作者：吴宇轩, 黄永章, 邓二平, 陈杰,
来源：电工技术 年份：2022
功率器件结温的准确监测，对其可靠性评估、寿命预测及所处系统的优化运行方面都有至关重要的影响。相较于其他方法，热网络建模法不仅能实现结温的离线预测，而且能在一定程度上实现在线监测，因此具有广泛的应用前景。以传统热网络理论的由来为基础，归纳了近年来热网络......
[期刊论文] 作者：王为介, 陈杰, 姜龙飞, 邓二平, 刘鹏,
来源：半导体技术 年份：2022
一般认为结-壳热阻是绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的固有属性，是一个由封装材料和尺寸决定的定值。首先通过理论分析揭示了结-壳热阻具有随测试条件改变而变化的特性，然后基于有限元仿真，分别研究了不同测试条件对采用热电偶法和瞬态双界面法测得结-壳热阻的影响，并对实......
[期刊论文] 作者：赵志斌,邓二平,张朋,张骏,黄永章,,
来源：电工技术学报 年份：2017
压接型IGBT器件以其耐受电压高、电流密度大、控制功率低、开关速度快以及双面散热等优势成为柔性直流输电系统中换流阀和直流断路器选用的理想器件。由于应用装备的差异,换...
[期刊论文] 作者：邓二平, 陈杰, 赵雨山, 赵志斌, 黄永章,,
来源：半导体技术 年份：2019
随着高压大功率IGBT器件容量的进一步提升,对考核其可靠性的功率循环测试装备在测量精度、测试效率和长期运行可靠性等方面提出了挑战。针对柔性直流输电系统用高压大功率IGB...
[期刊论文] 作者：张经纬,邓二平,赵志斌,李金元,黄永章,,
来源：半导体技术 年份：2017
压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件因具有双面散热、短路失效和易于串联等优点,正逐步应用到柔性直流输电等领域。但其在工作过程中的热学、力学特性与传统焊接式IGBT模块...
[期刊论文] 作者：张经纬, 邓二平, 赵志斌, 李金元, 黄永章,,
来源：电工技术学报 年份：2018
压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件因其具有双面散热、失效短路和易于串联等优点特别适合应用于柔性直流输电等大功率领域。但这种压接封装结构的器件在经历长时间的循环热...
[期刊论文] 作者：邓二平,赵志斌,张朋,黄永章,李金元,,
来源：半导体技术 年份：2016
温度是功率半导体器件备受关注的问题,不仅直接影响功率半导体器件的电气性能,而且还间接影响功率半导体器件的热学和机械特性。压接型IGBT器件内部是电磁场、温度场和结构场...
[期刊论文] 作者：陈杰,邓二平,赵雨山,赵志斌,黄永章,
来源：中国电机工程学报 年份：2019
结温是高压大功率电力电子器件健康管理、寿命预测和可靠性评估的基础,通过对结温的在线测量,可以做到实时过热保护和状态监测,在提高可靠性的基础上还可以尽可能地挖掘其应...
[期刊论文] 作者：赵子轩,陈杰,邓二平,李安琦,黄永章,
来源：电工技术学报 年份：2022
通过器件的功率循环试验可建立寿命模型,如最常用的CIPS08公式,用来预测实际工况下的寿命情况.其中结温波动和结温最大值对键合线寿命的影响最大,但是在功率循环试验中往往需要同时调节负载电流大小和开通时间来达到相同的结温波动和结温最大值.为了进一步评估......
[期刊论文] 作者：陈杰,邓二平,赵子轩,吴宇轩,黄永章,
来源：电工技术学报 年份：2020
SiC MOSFET凭借其优异的电热特性,正逐渐投入市场,长期运行其可靠性成为关注的重点,功率循环试验是考核器件可靠性最重要的老化试验。MOSFET具有三种导通模式,分别对应三种不...
[期刊论文] 作者：申雅茹,邓二平,赵志斌,李金元,黄永章,,
来源：半导体技术 年份：2017
功率损耗一直是功率半导体器件应用时备受关注的问题。压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件靠外部压力使内部各个组件保持电气和机械连接,因此压力直接或间接地影响着压接型I...
[期刊论文] 作者：邓二平,赵志斌,张朋,黄永章,林仲康,,
来源：电工技术学报 年份：2017
压接型IGBT器件内部各组件直接堆叠在一起,通过外部压力使得各组件间保持良好的机械与电气接触,进而引入一定比例的接触电阻和接触热阻,所以器件内部的压力分布不仅影响器件...
[期刊论文] 作者：邓二平,孟鹤立,王延浩,赵志斌,黄永章,
来源：中国电力 年份：2021
高温反偏测试(high temperature reverse bias,HTRB)作为功率器件可靠性测试的重要环节,其测试装置的精度和功能决定了对被测器件老化程度判定的准确性。针对高压大功率器件...
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