搜索筛选:
搜索耗时1.1716秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 59 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：邓先灿,
来源：浙江树人大学学报 年份：2001
本文详细介绍了当今世界信息电子技术发展的现状与趋势 ,阐述了我国信息电子产业的概况 ,指出未来的十年是微电子产业发展的关键 ,也是软件产业与通讯因特网技术迅猛发展的时...
[期刊论文] 作者：邓先灿,,
来源：半导体情报 年份：1976
据了解,西德慕尼黑西门子公司的W·Kellner等人1975年8月在美国华盛顿举行的《国际电子器件会议》上作了“用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管”的报告。该报告的摘要...
[期刊论文] 作者：邓先灿,
来源：电子科技导报 年份：
本文重点论述ＧａＡｓＩＣＣＡＤ方法，包括：精确的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等有源器件模型；大、小信号模型参数提取；噪声模型；成品优化；高频、高速微带传输线模型；电路模拟与优化；砷化镓门阵等。还评述了ＧａＡｓＩＣＣＡＤ集成软件包及进一步工作。......
[期刊论文] 作者：邓先灿,,
来源：半导体情报 年份：1988
一、引言近年来甚大规模集成电路(ULSI)发展十分迅速,64MDRAM业已问世,多功能三维立体电路初具雏型。超高速集成电路(VHSIC)以砷化镓(GaAs)为衬底材料,出现了各种异质结、超...
[期刊论文] 作者：邓先灿,
来源：半导体学报 年份：1980
本文提出了一种新的平面型砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAs MESFET)结构.阐述了用氧离子注入制作此种平面型器件的计算和实验结果.将制得的平面器件与通常的台武器件作了...
[期刊论文] 作者：K.Kamei,邓先灿,,
来源：半导体情报 年份：2004
采用电子束曝光技术刻制栅电极及减小源栅寄生电阻的方法,发展了0.25μm 栅低噪声 GaAsFET。18GHz 下,噪声系数为1.9dB,相应增益为7dB(漏电流为10mA 时),最大有用增益为11dB(...
[期刊论文] 作者：梁山,邓先灿,,
来源：半导体情报 年份：1985
本文给出了一个能满意地模拟 GaAs MESFET I-V 特性的器件沟道电流数学模型;编写了 GaAs 数字电路专用分析程序“TRANP”;对具有不同容值的 GaAs 电容前馈静态逻辑电路(FFSL...
[期刊论文] 作者：E.T.Watkins,邓先灿,,
来源：半导体情报 年份：1984
两端二极管器件可用于毫米波频率,而现在的FET可达100GHz,甚至更高。Both ends of the diode device can be used for millimeter wave frequency, but now FET can reach...
[期刊论文] 作者：楼志丹,邓先灿,
来源：杭州电子工业学院学报 年份：1996
本文首先论述了AT88SC1I2卡，AT88SC54C卡，SLE4412卡的特点，结构及引脚定义，主要分析了它们的信息安全性能，然后提出了利用单片机或微机对IC卡进行操作的几种实现方法。...
[期刊论文] 作者：骆建军,邓先灿,
来源：微波学报 年份：1993
本文从砷化镓肖特基势垒场效应晶体管大信号模型出发，采用谐波平衡法求出稳态解，获得了大信号Ｓ参数。所开发的软件可财时获得大小信号Ｓ参数，并在同一Ｓｍｉｔｈ圆图上显示出来，也可进行增益压......
[期刊论文] 作者：李江,邓先灿,
来源：半导体情报 年份：1989
本文以一种综合的方法,包括不同偏置下器件的小信号S参数测量与模拟,直流I-V特性测量与模拟等,在准静态假设的基础上建立了GaAsMESFET的大信号综合模型,并在模型中考虑了栅正...
[期刊论文] 作者：陈勇,邓先灿,
来源：微波学报 年份：2000
根据遗传算法的基本理论，并结合微波电路优化设计的特点，对传统遗传算法的部分操作提出了改进措施。将其与DFP算法相结合，研制出能够较好收敛到最优值的算法。应用于微波电路CAD......
[期刊论文] 作者：王静,邓先灿,
来源：半导体技术 年份：1999
分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在自升温效应下的升温幅度，结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。...
[期刊论文] 作者：王静,邓先灿,
来源：电子学报 年份：2000
本文运用电荷控制分析方法，提出了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ以电荷源为基本组厉元件的大信号非线性动态模型。该模型在了电荷不守恒问题以及ＤＣ与ＲＦ电流不一致性问题的同时，结合器件的温度特性与自升温效应......
[期刊论文] 作者：王静,邓先灿,
来源：微电子学 年份：1999
提出了用人工神经网络压力传感器阵列实现机器人手触觉功能的方法。对所设计的神经单元电路运用计算机模拟分析，结果表明，神经单元的特性符合稳定性的要求，以１１×１１四突触神经网......
[期刊论文] 作者：冯晖,邓先灿,,
来源：半导体情报 年份：1985
本文叙述了12GHz 单片放大器的理论分析与设计,提出一种 CAA 噪声分析模型,该模型在己知 FET 最小噪声系数 F_(min)和相应增益 G_a 的基础上,计算最佳源导纳 Y_(?),同时本文...
[会议论文] 作者：邓先灿,骆建军,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
...
[会议论文] 作者：骆建军,邓先灿,
来源：1993年全国微波会议 年份：1993
...
[期刊论文] 作者：Ganesh R.Basawapatna,邓先灿,,
来源：半导体情报 年份：1979
本文讨论了一种多级宽带GaAs FET放大器的设计和特性。该放大器在2～18千兆赫频率范围内具有12～20分贝的小信号增益。放大器的1分贝增益-压缩点为13分贝毫瓦,饱和功率输出超过16...
[期刊论文] 作者：陈龙,邓先灿,孙麒,,
来源：现代电子技术 年份：2006
介绍一种以MSP430单片机为核心的多路数据采集系统。系统由集成函数发生器ICL8038现场模拟产生一正弦波信号并通过LM331实现频率到电压的变换,从而供给单片机进行数据采集。...
相关搜索：
