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[学位论文] 作者：邓意峰,
来源： 年份：2016
随着存储器的快速发展,传统Flash存储器尺寸已经接近其物理限制。阻变存储器(RRAM)凭借其结构简单、功耗低、读写速度快、储存密度高以及与现有CMOS工艺相兼容等特点,被认为是下一代非易失性高密度存储器的有力竞争者。金属氧化物薄膜作为阻变开关介质层材料表......
[期刊论文] 作者：贾卓,刘浩,邓意峰,邓宏,,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2015
空间光调制技术广泛应用于阈值开关、高速光互连、光逻辑运算等领域,对光信号的实时快速寻址有极高的要求。与电寻址方式相比,光寻址采用并行寻址,速度快,分辨率高,具有更大...
[期刊论文] 作者：邓意峰,刘浩,贾卓,邓宏,,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2014
通过交变电场下的紫外光响应测试,观察到ZnO基薄膜在254 nm紫外光激发下的慢响应现象,并测量了响应时间常数。为提高ZnO基薄膜紫外探测器的性能,采用磁控溅射法,制备了纯ZnO...
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