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[期刊论文] 作者：邢启江,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构。ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结外延片在直流负偏压１２０Ｖ作用下，利用射频溅射和光刻肃离技术在样品表面沉积１１０ｎｍ厚的Ｗ０．９５Ｎｉ０．０５金属薄膜应变条。在Ｗ０．９５￣Ｎｉ０．０５金属薄......
[期刊论文] 作者：邢启江,
来源：中国煤炭经济学院学报 年份：1998
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[期刊论文] 作者：邢启江,
来源：中国科技信息 年份：2013
公共安全是国家、社会稳定的基石。我国却是一个突发事件多发的国家,如重大污染、重大自然灾害和疫情生事件等等,为此如何有效应对突发事件,直接考验着政府的执行能力,也成为...
[期刊论文] 作者：邢启江,
来源：计算机应用研究 年份：1996
一种用扫描输入、矢量化处理和光盘存储的方法，实现工程图纸的计算机管理。本文介绍了该系统的基本结构、功能和特点。...
[期刊论文] 作者：邢启江,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2002
Stress field profiles and dielectric constant variations in In GaAsP/InP double heterostruct ures caused by a 110 nm thick W0.95Ni0.05 metal thin-film strain st...
[期刊论文] 作者：郭林,邢启江,
来源：应用泛函分析学报 年份：2007
利用一个新的比较定理和乘积空间的锥理论，得出了Banach空间中的一般高阶积分一微分初值问题的解存在性．...
[期刊论文] 作者：邢启江,刘慧,,
来源：计算机安全 年份：2006
分析了信息时代网络安全的新特点,讨论了目前网络安全方面存在的隐患与漏洞。提出了做好信息网络安全体系建设和管理的方法和策略。...
[期刊论文] 作者：邢启江,李飞,
来源：中国管理信息化 年份：2009
随着社会的飞速发展，随着电子政务、电子商务的逐步深入，社区信息化逐渐得到社会各界的重视。近年来，各地普遍开展以专项社会事务管理为基础，以信息技术为手段，以社区服务为切入点......
[期刊论文] 作者：郭林,邢启江,
来源：工程数学学报 年份：2007
本文用正则锥上的非紧减算子不动点定理,讨论了一类非线性Sturm-Liouville奇异边值问题正解的存在性和唯一性。对此问题的讨论,我们构造了一个新的正则锥。这样的方法完全可...
[期刊论文] 作者：邢启江,章蓓,
来源：半导体光电 年份：1996
研究了快速热退火对应变ＩｎＡｓ／ＩｎＰ单晶子阱结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度地加了４倍，量子阱荧光峰仅蓝移１．５ｍｅＶ。......
[期刊论文] 作者：邢启江,周翔凤,
来源：山东师范大学学报：自然科学版 年份：2010
网络安全管理系统中，在收集安全事件时都会不可避免地收集到大量的冗余事件，在这些事件中消除冗余事件，获取准确的报警信息是评价系统性能的重要指标，因而消除冗余事件的算法研究......
[期刊论文] 作者：邢启江,徐万劲,
来源：半导体光电 年份：2001
InGaAsP/InP双异质结构外延片在直流负偏压120 V作用下,利用射频溅射和光刻剥离技术在样品表面淀积厚为110 nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条，并在该应变条下的半导体内形成了对...
[期刊论文] 作者：邢启江,王舒民,
来源：半导体学报 年份：1993
在国内首次利用LPE生长技术在n-InP(100)衬底上成功地生长1.35μm InGaAsP分别限制单量子阱结构。通过对样品的横截面进行的TEM观测,量子阱的阱宽和过渡层的厚度分别为160A和...
[期刊论文] 作者：邢启江,徐万劲,
来源：2000年全国基础光学与光物理学术报告会 年份：2000
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[期刊论文] 作者：邢启江,武作兵,等,
来源：半导体学报 年份：2001
从理论上计算了厚度为110nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的应力场分布,及由应力场分布引 折射率变化，在W0.95Ni0.05金属薄膜应变条件下半导...
[期刊论文] 作者：王威礼,邢启江,史守旭,
来源：半导体学报 年份：1988
本文介绍用可选支的连续CO_2激光器在低于禁带宽度的谱线范围内研究100K的Hg_(0.785)Cd_(0.215)Te线性与非线性吸收光谱,由受主能态到导带能态的直接跃迁机理成功地解释了实...
[期刊论文] 作者：陈娓兮,邢启江,焦鹏飞,
来源：量子电子学报 年份：1999
半导体激光器与电吸收波导调制器是光纤通讯和光信息处理关键有源器件之一．光弹性波导半导体激光器与电吸收波导调制具有工艺简单，有利于集成等特点．将金属ＷＮｉ＃膜条淀积到半导体ＩｎＰ或ＧａＡｓ为......
[期刊论文] 作者：邢启江,章蓓,王舒民,
来源：半导体光电 年份：1996
研究了快速热退火对应变ＩｎＡＳ／ＩｎＰ单量子阱（ＳＱＷ）结构光学性质的影响。样品经最佳条件７００℃ｔ，５ｓ的快速热退火，８Ｋ温度下量子阱的荧光强度增加了４倍，量子阱荧光峰仅蓝移１．５５ｍｅＶ。而且，发现在样品中的深辐射能级的荧......
[期刊论文] 作者：张斌, 宋英杰, 王彬, 邢启江,,
来源：教育现代化 年份：2004
产学研协同创新是经济新常态下产业结构转型升级的要求,但现有的产学研协同模式存在一些问题。本文深入探索产学研协同创新中的动力机制,推导出协同创新知识整合框架。通过数...
[期刊论文] 作者：邢启江,李飞,XING Qi-jiang,LI Fei,
来源：中国管理信息化 年份：2009
随着社会的飞速发展,随着电子政务、电子商务的逐步深入,社区信息化逐渐得到社会各界的重视.近年来,各地普遍开展以专项社会事务管理为基础,以信息技术为手段,以社区服务为切...
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