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[期刊论文] 作者：邢燕辉,
来源：商品与质量·建筑与发展 年份：2014
【摘 要】 地籍测绘是一项精准、细致、具体的工作，主要通过测定土地权属临界点和临界地址，将土地具体位置、权属、使用面积等多方因素测绘到图纸上，较之一般地形测量，更加规范、科学、准确，是进行土地开发整理不可或缺的步驟，可以为土地开发管理提供基础、全面、真实......
[期刊论文] 作者：雷蕾,杨策,张黎,邢燕辉,温先荣,,
来源：世界科学技术-中医药现代化 年份：2013
本文基于中药药理文献数据，以中药的药性、药味、毒性、归经、主治、功效6个属性的所有值作为属性集，使用支持向量机对187个中药药理作用分别构建预测模型，并使用交叉验证的方法......
[期刊论文] 作者：牛南辉,王怀兵,刘建平,邢燕辉,韩军,邓军,沈光地,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的...
[期刊论文] 作者：牛南辉,王怀兵,刘建平,刘乃鑫,邢燕辉,韩军,邓军,郭霞,沈,
来源：光电子．激光 年份：2006
利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生长了InGaN／GaN多量子阱（MQW）蓝光发光二极管（LED），研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明，随着Cp2Mg流量的提高，漏......
[期刊论文] 作者：牛南辉,王怀兵,刘建平,刘乃鑫,邢燕辉,韩军,邓军,沈光地,,
来源：光电子.激光 年份：2007
利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生长了InGaN/GaN多量子阱（MQWs）结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响.结果表明,采用生长停顿,可以改善MQWs界面质量,提高MQWs的光...
[期刊论文] 作者：牛南辉,王怀兵,刘建平,刘乃鑫,邢燕辉,韩军,邓军,郭霞,沈光地,,
来源：光电子·激光 年份：2006
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管(LED),研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流...
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