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[学位论文] 作者：邵凯恒,
来源：中国科学技术大学 年份：2021
氮化镓(GaN)因其优异的材料性能,在高频高压的电子元器件领域有着巨大的应用前景。随着GaN单晶衬底技术的发展,同质外延成为研究的热点。GaN同质外延在界面处存在杂质聚集现象,这一问题限制了 GaN同质器件发展。在电力电子器件中,二次生长界面是一个不可控的副......
[期刊论文] 作者：邵凯恒,夏嵩渊,张育民,王建峰,徐科,
来源：人工晶体学报 年份：2021
氮化镓单晶衬底上的同质外延具有显著的优势,但是二次生长界面上的杂质聚集一直是困扰同质外延广泛应用的难题,特别是对电子器件会带来沟道效应,对激光器应用会影响谐振腔中...
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