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[学位论文] 作者：邹世凯,
来源：北京工业大学 年份：2017
目前，随着电力电子技术的快速发展，功率半导体器件得到越来越广泛的应用，工作环境也越来越复杂。硅基器件（如MOSFET、IGBT等）由于其材料特点，使其发展受到了极大的限制，因此当前迫切......
[学位论文] 作者：邹世凯,
来源：西南政法大学 年份：2018
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[期刊论文] 作者：邹世凯,胡冬青,黄仁发,崔志行,梁永生,,
来源：电气传动 年份：2017
为使SiC MOSFET在应用中安全可靠的工作,通过对SiC MOSFET开关特性的分析,设计了一种SiC MOSFET驱动电路。该电路具有结构简单、实用性强、速度快、输出功率大等特点。另外,...
[期刊论文] 作者：曹金英,伊力哈木,邹世凯,齐晨雨,,
来源：电子世界 年份：2012
设计了一种基准参考源,采用双极工艺,能够输出稳定的2.5V电压,温度范围在-40℃~105℃,精度为1%,采用了电阻修调网络对该基准参考源进行了修调,可调范围在2.38V~2.62V之间,灌...
[期刊论文] 作者：黄仁发,胡冬青,吴郁,贾云鹏,邹世凯,安鹏振,彭领,
来源：微电子学 年份：2017
为了降低低压场终止型IGBT的工艺难度并改善其关断特性,对注氢场终止型IGBT(PFS-IGBT)的缓冲层进行了研究,引入了传统场终止型IGBT(FS-IGBT)和线性缓变掺杂场终止型IGBT(LFS-...
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