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[期刊论文] 作者：邹霁玥,汪礼胜,
来源：微电子学 年份：2020
比较研究了HfO2与HfLaO栅介质多层MoS2场效应晶体管.实验结果表明,与HfO2栅介质MoS2晶体管相比,HfLaO栅介质MoS2晶体管表现出更优的电性能.电流开关比高达1×108,亚阈斜率低...
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