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[期刊论文] 作者：顾晓文,牛斌,郁鑫鑫,,
来源：光电子技术 年份：2017
研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能。采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74μm。测试结果表明,器件的自由...
[期刊论文] 作者：陈蓉, 曹玉敏, 郁鑫鑫, 全呈颖,,
来源：临床医药文献电子杂志 年份：2018
琥珀酸是TCA中的中间代谢产物,在线粒体生成ATP的过程中起关键作用。最近研究发现,琥珀酸亦可作为炎症中的一种物质代谢信号,促进炎症,并可在癌症免疫周期中发挥重要作用。本...
[会议论文] 作者：郁鑫鑫,倪金玉,李忠辉,周建军,孔岑,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
由于价格低廉,在Si衬底上异质外延生长GaN材料来研制电力电子器件具有广阔的发展前景.然而,GaN与Si之间存在高达16.9％的晶格失配和56％的热失配,在Si上生长GaN将面临高难度的技术挑战.本文在4英寸Si衬底上采用Al组分阶变的AlGaN缓冲层生长了AlGaN/GaN/AlGaN双异质......
[期刊论文] 作者：倪金玉,李忠辉,孔岑,周建军,陈堂胜,郁鑫鑫,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）微波功率性能和击穿性能的不良影响...
[期刊论文] 作者：李义壮,郭怀新,郁鑫鑫,孔月婵,陈堂胜,
来源：电子元件与材料 年份：2022
片内热积累效应严重制约GaN器件向高功率密度应用发展,金刚石钝化散热结构的GaN器件热管控技术已成为目前研究重点,而金刚石栅区高精度刻蚀和控制是实现该热管理技术应用的关键工艺难点.因此,本文采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以氮化硅作为刻蚀掩膜,对纳......
[期刊论文] 作者：郁鑫鑫, 周建军, 齐成军, 曹正义, 孔月婵, 陈堂胜,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性,在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价...
[期刊论文] 作者：郁鑫鑫, 周建军, 王艳丰, 邱风, 孔月婵, 王宏兴, 陈,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术在高掺p+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚...
[期刊论文] 作者：刘晓晨,郁鑫鑫,葛新岗,姜龙,李义锋,安晓明,郭辉,
来源：人工晶体学报 年份：2021
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,通过改变气源中的氮含量,得到不同结晶质量的单晶金刚石,通过激光切割以及抛光控制样品尺寸为5 mm×5 mm×0.5 mm,然后对样品进行表面氢化处理并研制了金刚石射频器件,系统研究了氮含量对金刚石材料晶体质量和金刚石射......
High-performance enhancement-mode AlGaN/GaN MOS-HEMTs with fluorinated stack gate dielectrics and th
[期刊论文] 作者：高涛,徐锐敏,张凯,孔月婵,周建军,孔岑,郁鑫鑫,董迅,陈堂胜,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
We present high-performance enhancement-mode AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor highelectron mobility transistors(MOS-HEMTs) by a fluorinated gate dielectric t...
[会议论文] 作者：倪金玉,郁鑫鑫,潘磊,董逊,孔岑,周建军,李忠辉,孔月婵,陈堂胜,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
由于GaN基Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高和耐高温能力强等优良特性,GaN场效应晶体管(如HEMT)比Si功率MOS场效应晶体管击穿电压更高、开关速度更快、开关损耗更小、工作温度更高,非常适合于功率电子器件应用.......
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