搜索筛选:
搜索耗时3.6791秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 3 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：郎陆广,,
来源：北京工业大学 年份：2018
在第三代半导体材料中,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多优异性能,以其制备的蓝光GaN基半导体激光器(Laser Diode,LD)具有较高的内外量子效率与优异的光电特性。近年来,蓝光G...
[期刊论文] 作者：于洪岩,尧舜,张红梅,王青,张杨,周广正,吕朝晨,程立文,郎陆广,
来源：物理学报 年份：2019
...
[期刊论文] 作者：吕朝晨,王青,尧舜,周广正,于洪岩,李颖,郎陆广,兰天,张文甲,梁辰余,张杨,赵风春,贾海峰,王光辉,王智勇,
来源：光学学报 年份：2018
采用金属有机物化学气相沉积设备生长InGaAs/AlGaAs应变多量子阱有源区和双氧化限制层的外延整体结构,利用断点监控电感耦合等离子体刻蚀技术、精确湿法氧化控制技术等芯片制造技术,实现了氧化孔径为7 μm、相邻单元间隔为250 μm的高速调制4×15 Gbit/s 850 nm......
相关搜索：
