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[期刊论文] 作者：郑垣蜀,
来源：半导体光电 年份：1984
研究发展了一种带有新的抗晕结构的内线CCD摄像传感器,这是一种2/3吋,有380(H))×490(V)元的传感器。采用在光电二极管的下面(不是旁边)设置垂直溢出漏的方法抑制发晕,而光灵...
[期刊论文] 作者：郑垣蜀,
来源：半导体光电 年份：1984
本文提出一种新的四线CCD,它允许阵列同旁的里、外移位寄存器的串扫和并扫时钟公用一组总线。这就有可能用特殊的结构使电荷从里面的移位寄存器转到外面的移位寄存器。以8μm...
[期刊论文] 作者：MILANO,郑垣蜀,
来源：半导体光电 年份：1983
用公式阐明了一种模型以说明暗电流(J_D)的主要来源,J_D是异质结肖特基(schottky)栅电荷耦合器件(CCD)单像素上的暗电流。这个模型预示了J_D对温度的依赖关系并表明对于适当...
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