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[期刊论文] 作者：郑姿清,,
来源：大功率变流技术 年份：2011
英飞凌公司生产的3.3kV IGBT模块已被客户广泛使用,其驱动电路的设计在许多方面都有别于1.7 kV和1.2kV IGBT模块,文章对该驱动电路的设计细节进行分析,以助于更好地应用该款I...
[学位论文] 作者：郑姿清,,
来源： 年份：2007
逆变电源从出现到发展已经有很多年了，它的应用也已经不只是普通的应急设备了，它在节能、变频调速以及改善电源质量等很多方面被广泛利用。随着电力电子器件的不断更新换代，更高......
[期刊论文] 作者：郑姿清,
来源：变频器世界 年份：2020
以对称的布板设计来实现4个6毫欧的碳化硅模块的并联,给出了实际的测量结果。最后还通过门特卡罗分析来演绎批量器件应用在并联场合下的温度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET...
[会议论文] 作者：郑姿清,周益铮,
来源：2016国际制冷空调技术交流会 年份：2016
对于电压型驱动器件的IGBT 而言，主要的驱动参数包括驱动电压、驱动电路输出功率、栅极电阻、栅极至发射极电容和栅极回路电感等参数。本文主要是探讨这些参数如何影响IGB...
[期刊论文] 作者：秦海洋,郑姿清,赵振波,王天真,李佳旭,,
来源：电源学报 年份：2018
绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)的不断发展也推动着驱动技术的发展。为了减小高功率密度IGBT开通损耗以及优化电流变化率di/dt,提升系统的功率...
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