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[期刊论文] 作者：郑心畬,李志坚,
来源：半导体学报 年份：2004
本文提出了一种新的Si/siO_2界面态研究方法——辅以脉冲和/或恒定红外光照的脉冲Q(V)法.该方法的主要特点是:测量精度高,能自动补偿样品漏电,对长寿命或低温下的样品也能保...
[期刊论文] 作者：郑心畬,李志坚,
来源：半导体学报 年份：1985
在作者先前发表的脉冲Q(V) 法的基础上,本文提出了MOS 界面态电荷瞬态谱(MQTS)方法.该方法利用单一P型或N型样品在恒定温度T之下测量小能量间隔△E(△E...
[期刊论文] 作者：郑心畬,李志坚,
来源：半导体学报 年份：1988
讨论了小方栅脉冲下零偏置源MOS结构栅电荷弛豫的机制.证明了当费米能级接近少子带边时,引起栅电荷弛豫的起因将由界面态俘获发射电荷的过程变成受其延迟的表面少子扩散漂移...
[期刊论文] 作者：董琪,郑心畬,陈培毅,费新礴,
来源：半导体学报 年份：1991
本文提出并建立了具有漏电补偿功能的电荷DLTS方法.该方法具有与电容DLTS方法相同的率窗特性,同时又能直接测量深能级热发射的电荷响应而不必依赖耗尽区厚度的热发射调制,因...
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