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[期刊论文] 作者：郝平海,侯晓远,
来源：半导体学报 年份：1995
本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构，实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值到２．９ｅＶ左右。与文献报道的光激发......
[期刊论文] 作者：张甫龙,郝平海,等,
来源：半导体学报 年份：1993
本文研究了多孔硅的电致发光现象。在多孔硅上淀积了半透明金膜后，当正向偏压加到15V、电流密度100mA/cm^2时，观察到了稳定的电致可见光发射现象。伏安曲线的测量表明它有明显...
[期刊论文] 作者：王迅,侯晓远,郝平海,
来源：物理 年份：1992
由于Ｓｉ是一种禁带宽度只有１．１ｅＶ的间接带隙材料，其发光效率极低，因此长期以来Ｓｉ被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料．但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象，对人们的这种传......
[期刊论文] 作者：郝平海,侯晓远,丁训民,贺仲卿,蔡卫中,王迅,
来源：半导体学报 年份：1995
本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的光激发......
[期刊论文] 作者：张甫龙,郝平海,史刚,侯晓远,丁训民,黄大鸣,王迅,
来源：半导体学报 年份：1993
本文研究了多孔硅的电致发光现象。在多孔硅上淀积了半透明金膜后,当正向偏压加到15V、电流密度100mA/cm~2时,观察到了稳定的电致可见光发射现象。伏安曲线的测量表明它有明...
[期刊论文] 作者：王健,蒋红兵,王文澄,郑家骠,张甫龙,郝平海,侯晓远,王迅,
来源：半导体学报 年份：1992
采用超短脉冲近红外光(1.06μm)激发,首先在多孔硅表面观察到了较强的可见区荧光产生.荧光强度与激发光强度的三次方关系表明,有效的荧光产生起源于三阶非线性光学效应的增强...
[期刊论文] 作者：王健,蒋红兵,王文澄,郑家骠,张甫龙,郝平海,候晓远,王迅,
来源：光学学报 年份：1993
最近的研究中,采用1.06μm超短脉冲光激发,在多孔硅表面观察到了有效的红外多光子激发的荧光发射.研究表明,这是一个增强的三阶非线性光学过程.本文利用其三阶非线性特性对具有强可见光发射的多孔硅结构进行了研究,结果显示晶体硅的各向异性特征在多孔硅中几乎......
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