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[学位论文] 作者：郭玉拓,
来源：中国科学院大学(中国科学院物理研究所) 年份：2023
二硫化钼作为过渡金属硫属化物是一种重要的二维材料,单层二硫化钼不仅是直接带隙半导体,同时也拥有优异的机械性能和化学稳定性,在微电子学等领域具有广阔的应用前景。单层二硫化钼的厚度仅为0.65 nm,其性质对表面和界面非常敏感,因此针对二硫化钼的应用研究离......
[期刊论文] 作者：魏争, 王琴琴, 郭玉拓, 李佳蔚, 时东霞, 张广宇,,
来源：物理学报 年份：2018
作为一种新型的二维半导体材料,单层二硫化钼薄膜由于其优异的特性,在电子学与光电子学等众多领域具有潜在的应用价值.本文综述了我们课题组在过去几年中针对单层二硫化钼薄...
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