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[期刊论文] 作者：郭登耀,汤晓燕,李林青,张玉明,
来源：中国电力 年份：2021
碳化硅(SiC)功率开关高速和高功率的特点,使其在脉冲功率系统中面临着比硅(Si)器件更严苛的高dV/dt可靠性问题.实验发现高dV/dt应力会导致4H-SiC PiN功率二极管击穿特性永久退化.仿真结果表明:高dV/dt应力下器件终端区与主结交界处存在较强电场集中,致使雪崩提......
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