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[会议论文] 作者：瞿翠凤,金绮华,
来源：’94全国结构·功能陶瓷·金属/陶瓷封接学术会议 年份：1994
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[期刊论文] 作者：瞿翠凤,金绮华,王永令,
来源：红外研究 年份：1982
铁电材料相变温度的测量一般采用电桥法,即测量铁电材料介电系数随温度的变化,由介电系数的转折温度来确定相变温度。但电桥法测量常常碰到一些困难:第一,有些铁电材料相变...
[会议论文] 作者：杜静;孙大志;瞿翠凤;金绮华;,
来源：1998年中国材料研讨会 年份：1998
利用理论推导的公式用计算机模拟ＰＺＴ９５／５陶瓷材料的Ｆ〈，ＲＬ〉－Ｆ〈，ＲＨ〉相变过程中热释电输出电压随温度的变化曲线，与实验测量进行对比的结果表明：对于单组份相变陶瓷，两者符合得很好，而对于复合相......
[会议论文] 作者：杜静,孙大志,瞿翠凤,金绮华,
来源：1998年中国材料研讨会 年份：1998
利用理论推导的公式用计算机模拟ＰＺＴ９５／５陶瓷材料的Ｆ〈，ＲＬ〉－Ｆ〈，ＲＨ〉相变过程中热释电输出电压随温度的变化曲线，与实验测量进行对比的结果表明：对于单组份相变陶瓷，两者符合得很好，而对于复合相变陶瓷材料，由于存在不同组份间离子的扩散，模拟中必须加入扩散项的贡献才能与实验测量曲......
[期刊论文] 作者：杜辉,孙大志,钟妮,瞿翠凤,姚春华,金绮华,
来源：电子元件与材料 年份：2002
根据同化合价,不同离子半径;相近离子半径,不同化合价的原则选择氧化物对PZT95/5(PbZr0.95Ti0.05O3)进行分别掺杂,研究了碱金属族、碱土金属族氧化物,及Fe、Si、Nb、W等的氧...
[期刊论文] 作者：刘瑞斌,林盛卫,翟翠凤,金绮华,姚春华,
来源：红外技术 年份：1994
本文报道了通过掺杂改性获得的具有低电阻率、高电压响应优值的陶瓷热释电材料ＰＺＴ－Ｌ，用该材料制备的无须配置高阻的红外探测器，达到了可实用化的信噪比，通过常压烧结工艺成功地制备出......
[会议论文] 作者：孙大志, 瞿翠凤, 金绮华, 姚春华, 杜静, 林盛卫,,
来源： 年份：2004
研究了一种改性的锆钛酸铅（PZT）陶瓷材料,对组成进行梯度设计,使非线性热释电效应部分线性化,则热释电系数可在一定宽度的温度范围内比常规材料提高50%以上,即达到8×10-8C...
[期刊论文] 作者：曾华荣,瞿翠凤,姚春华,金绮华,孙大志,林盛卫,
来源：无机材料学报 年份：1999
采用Sol-Gel工艺制备了不同组成BaxSr1-xTiO3(BST)粉体,利用FT-IR、DTA、XRD等技术分析了溶胶-凝胶反应转变机理及凝胶热处理过程中的相结构变化情况,同时对材料的烧结条件及...
[会议论文] 作者：姚春华,孙大志,林盛卫,曾华荣,瞿翠凤,金绮华,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
该文选用单组份PZT97／3-0.8和两种复合热释电材料PZT97／3-（0.8～1.9）、PzT97／3-（0.8～1.6）样品，分别从低温铁电相FRL加热到高温铁电相FRH然后再冷却到低温铁电相，测量其热释电电流，结果发现......
[期刊论文] 作者：孙大志, 翟翠凤, 金绮华, 姚春华, 李晓辉, 林盛卫,,
来源：无机材料学报 年份：2004
测量了锆钛酸铅（PZT和钛酸铅（PT）陶瓷材料的热释电效应，利用X射线衍射测量了陶瓷材料在不同温度下晶格结构变化，研究了PZT和PT陶瓷材料的热释电效应与晶格参数之间的相互关系，实验......
[期刊论文] 作者：杜辉,孙大志,钟妮,瞿翠凤,姚春华,金绮华,林盛卫,
来源：无机材料学报 年份：2003
采用固相烧结法制备锆钛酸铅95/5(PZT95/5)材料,以'相同化合价,不同原子半径;相近原子半径,不同化合价'的原则,选择了碱金属族、碱土金属族元素的碳酸盐以及Fe2O3、S...
[期刊论文] 作者：刘瑞斌,林盛卫,瞿翠凤,姚春华,金绮华,林猷慎,张毓荣,
来源：硅酸盐学报 年份：1995
报道了在ＰＺＮＦＴＳ １型材料研究工作基础上提出的小面积探测器对材料选择的原则，通过进一步的添加改性制备ＰＺＮＦＴＳ Ⅱ型材料，使得用ＰＺＮＦＴＳⅡ型材料制作的小面积探测器的性能进一步提高，其达到的数值说......
[期刊论文] 作者：刘瑞斌,林盛卫,瞿翠凤,姚春华,金绮华,林猷慎,张毓荣,,
来源：无机材料学报 年份：1993
本文探讨了小面积红外热释电探测器的探测率与热释电材料性能参数之间的关系，制备了热释电系数高达５．１×１０＾－４Ｃ·ｍ＾－２℃＾－１的ＰＺＮＦＴＳＩ型陶瓷热释电材料，并用其制作了一系列φ０．３ｍｍ的小面积探测器，性能......
[期刊论文] 作者：孙大志,赵梅瑜,罗豪甦,瞿翠凤,金绮华,姚春华,林盛卫,殷之,
来源：无机材料学报 年份：2004
本文研究了准同型相界处铌镁酸铅-钛酸铅(PMNT)陶瓷材料的介电压电性能，合适的组份和烧结，可使PMNT陶瓷材料具有较好的压电性能，d33达540pC/N，kt达0.50以上. 观察了不同烧结工艺...
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