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[学位论文] 作者：钟耕杭,,
来源：北京有色金属研究总院 年份：2017
随着汽车电子,消费电子和物联网市场等多样化芯片需求的快速增长,200mm硅片在半导体市场中有相当高的占有率。随着集成电路特征线宽的不断减小,集成电路制造过程对硅片局部平...
[期刊论文] 作者：宁永铎, 周旗钢, 钟耕杭, 张建, 赵伟, 汪奇,,
来源：稀有金属 年份：
以半导体硅片制备工艺中的酸腐蚀过程为研究对象,采用硅片几何参数检测设备的原始数据为数据源,借助空间统计手段和数据可视化技术,基于实验研究酸腐蚀过程中硅片的转动、外...
[期刊论文] 作者：赵江伟,宁永铎,周旗钢,钟耕杭,刘斌,肖清华,
来源：稀有金属 年份：2021
利用不同的酸腐蚀和碱腐蚀条件对硅片进行了腐蚀,分析了腐蚀后的硅片表面状态对Fe沾污的影响.实验结果表明,不同酸腐蚀条件的硅片经过以HF酸结尾的改进型RCA(Radio Corporati...
[期刊论文] 作者：钟耕杭,宁永铎,王新,路一辰,周旗钢,李耀东,,
来源：稀有金属 年份：2018
抛光后的局部平整度(SFQR)参数是表征硅片抛光质量的重要指标之一,也是抛光过程较难优化的几何参数之一。分析了不同的化学腐蚀处理对抛光后局部平整度的影响。实验结果表明,...
[期刊论文] 作者：赵而敬,王永涛,曹孜,刘建涛,张静,郑捷,蔡丽艳,钟耕杭,韩,
来源：材料科学 年份：2018
通过对单晶硅外延表面反应机理和表面测试分析,发现抛光片表面粗糙程度对外延后0.12 um颗粒分布有影响。表面微粗糙度Ra在0.5~0.8 nm左右,经过外延生长,硅片表面经过颗粒检测...
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