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[学位论文] 作者：闫斯怡,,
来源：东北师范大学 年份：2015
宽禁带(3.37 e V)半导体材料Zn O的激子束缚能高达60 me V,很容易在高温下实现激子发射。此外,因其储量丰富,制备方法多样等特点,现被认为是有望替代Ga N材料,成为发展短波长...
[学位论文] 作者：闫斯怡,
来源：东北师范大学 年份：2021
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