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[期刊论文] 作者：赵涤燹,闰娜,徐雯,杨立吾,王俊宇,阂昊,
来源：半导体学报 年份：2008
针对低成本、低功耗无源射频电子标签，采用SMIC0．18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器．存储器单元基于双向Fowler—Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS...
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