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[期刊论文] 作者：陆寿蕴,,
来源：化学通报 年份：1993
半导体的化学刻蚀,俗称湿法刻蚀,它是半导体器件制作中的一个重要工艺,按照化学作用的原理,它可分为化学反应刻蚀、电化学刻蚀和光电化学刻蚀,半导体的化学刻蚀是在众多刻蚀...
[期刊论文] 作者：陆寿蕴,孙月,
来源：太阳能学报 年份：1989
光生空穴与溶液中还原剂反应还是与半导体本身反应存在着竞争过程,本工作采用旋转环盘电极区分此竞争过程的两部分电流,研究了pH=1.0的硫酸亚铁和pH=9.2的亚铁氰化钾对n-砷化...
[期刊论文] 作者：陆寿蕴,李诚芳,
来源：分析化学 年份：1993
用电化学方法固定在直径为0.5mm铂丝上的聚苯胺(PANI)葡萄糖(GOD)电极对葡萄糖有催化氧化作用.在0～-0.6V(vs.SCE)的电极范围内,在电极的循环伏安曲线上观察到与葡萄糖浓度有关...
[期刊论文] 作者：陆寿蕴,张志炳,,
来源：化学学报 年份：1981
在25℃、有2MKNO_s存在的条件下,用电位法测定银与烟酸络合物的稳定常数。测定结果:β_1=2.50×10~2,β_2=1.38×10~4。The stability constant of silver and nicotinic a...
[期刊论文] 作者：曹阳,陆寿蕴,李爱珍,
来源：物理化学学报 年份：1996
用电化学和光电化学方法研究锑化镓表面的腐蚀以及锑化镓表面氧化膜的生成和溶解，锑化镓电极在一定电势下生成的氧化膜，用俄歇能谱证明，其主要成分为难溶的氧化锑，此氧化膜的存在......
[期刊论文] 作者：王卫江,王江涛,金承和,陆寿蕴,
来源：物理化学学报 年份：1993
在n-GaAs电解液界面,用聚焦He-Ne 激光照射,使n-GaAs 表面发生微区光电化学腐蚀,用计算机控制步进马达,使试样在X-Y二维方向扫描移动,能在晶片上得到刻蚀点直径2μm 的刻蚀图...
[期刊论文] 作者：陆寿蕴,李诚芳,王兵,张莹,毛展宏,
来源：分析化学 年份：1993
用电化学方法固定在直径为0.5mm铂丝上的聚苯胺(PANI)葡萄糖(GOD)电极对葡萄糖有催化氧化作用.在0～-0.6V(vs.SCE)的电极范围内,在电极的循环伏安曲线上观察到与葡萄糖浓度有关...
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