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[会议论文] 作者：焦小雨,陈亮,马宁华,陈臻纯,刘成,
来源：第13届中国光伏大会 年份：2013
采用不同功率532nm波长激光刻蚀柔性非晶硅薄膜太阳电池的P3刻线,并利用共焦显微拉曼光谱仪对其进行了分析.测得的拉曼光谱显示,非晶硅晶化率自P3刻线表面至非晶硅与背反射电...
[期刊论文] 作者：陈亮, 马宁华, 陈臻纯, 王小顺, 周文灿,,
来源：光电子·激光 年份：2004
卷对卷制备出聚酰亚胺(PI)衬底柔性硅(Si)基薄膜太阳电池集成串联组件。对卷对卷制备柔性Si基薄膜电池集成串联的优势进行了分析,讨论了制约柔性薄膜电池集成串联组件的主要...
[期刊论文] 作者：陈亮, 马宁华, 杨君坤, 叶晓军, 陈臻纯,
来源：光电子.激光 年份：2014
采用卷对卷工艺制备了叠层非晶硅/非晶硅锗（a-Si/a-SiGe）电池,采用激光刻划与丝网印刷实现集成串联,形成柔性薄膜电池集成串联组件。研究了SiGe电池渐变带隙、柔性衬底nip倒结构激光刻划、反向脉冲电治疗,并用以改善柔性薄膜电池集成内联组件性能。集成组件有5个......
[会议论文] 作者：马宁华,陈亮,叶晓军,陈臻纯,张梦炎,唐道远,蒋帅,
来源：第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) 年份：2012
本文主要研究聚酰亚胺(PI)衬底柔性非晶硅(a-Si)薄膜太阳电池内联组件结构设计及内联组件制备的关键技术：深度选择性激光刻蚀.文中所采用的内联结构,首先是卷对卷沉积a-Si 太阳电池的各层材料,随后采用激光刻蚀等工艺实现组件的内联.深度选择性激光刻蚀(P1、P2)......
[会议论文] 作者：蒋帅,马宁华,曹娜娜,张翼翔,陈臻纯,周丽华,王小顺,唐道远,周文灿,叶晓军,杨君坤,刘成,陈亮,
来源：第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2012
基于一条具有多项自主知识产权的卷对卷非晶硅薄膜电池中试线,在300mm 幅宽的PI 衬底上制备了非晶硅薄膜电池.研究了通过卷对卷磁控溅射在柔性PI 衬底沉积背反的工艺和卷对卷PECVD 生长非晶硅薄膜技术.经过一系列的工艺优化,在PI 衬底上的大面积单结非晶硅薄膜......
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