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[学位论文] 作者：陶代文,,
来源：西北师范大学 年份：2004
忆阻器因其结构简单、集成度高、器件功耗低、擦写速度快且制备工艺与当前的CMOS工艺兼容等优点,被视为下一代非易失性存储器中最具竞争力的候选者之一。然而,迄今为止,因材...
[期刊论文] 作者：王成伟,漆碧娟,和茹梅,陈建彪,陶代文,
来源：西北师范大学学报：自然科学版 年份：2018
采用阳极氧化法,一步制备出了三维分布的硫化铜纳米片/带结构薄膜.实验发现,通过改变阳极氧化电流,可调控硫化铜纳米片/带结构的形貌演化,使之形成有利于场发射的三维合理分...
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