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[期刊论文] 作者：雷双英,沈波,许福军,杨志坚,徐柯,张国义,
来源：半导体学报 年份：2006
用自洽计算的方法研究了极化电场对AlxGa（1-x）N／GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响．发现极化场会导致电压降的出现，从而使得结构对称的AlxGa（1-x）N／GaN双量子阱具有......
[期刊论文] 作者：雷双英,沈波,许福军,杨志坚,徐柯,张国义,,
来源：半导体学报 年份：2004
用自洽计算的方法研究了极化电场对Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响.发现极化场会导致电压降的出现,从而使得结构对称的Al_xGa_(1-x)N/GaN...
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