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[学位论文] 作者：雷妞,,
来源：西安电子科技大学 年份：2020
随着第三代半导体GaN(氮化镓)等的出现以及通讯电子行业朝着高频,大功率环境的发展,器件的非线性变得越来越不容忽视。建立精确的大功率半导体器件模型对于设计现代功放有很好的预测功能,对于新器件的设计也有非常重要的意义。传统的S参数建模是基于线性网络的,......
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