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[期刊论文] 作者：雷慧绪,
来源：硅铝化合物 年份：2003
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[期刊论文] 作者：雷慧绪,彭少芳,
来源：中外技术情报 年份：1996
本文介绍的二氧化硅粉料是用作ZnO压敏电阻及高压避雷器等元器件的掺杂材料的。 用作电子元件掺杂材料的二氧化硅粉料,化学纯度和物理规格均有特殊要求,国外一般采用气...
[期刊论文] 作者：陈培荣,雷慧绪,
来源：电瓷避雷器 年份：2001
以废旧氧化锌压敏电阻为原料,经酸解、净化提取得CoCl2;并用碳酸氢钠为沉淀剂,引入表面活性剂,制备符合企业标准的球形氧化钴。并对该工艺过程中溶液浓度、温度等的选择进行...
[会议论文] 作者：张昭,张琍,彭少方,淡永涛,雷慧绪,
来源：2002全国冶金物理化学学术会议 年份：2002
本文通过制作Co(Ⅱ)-HPO-HO系lg[Co(Ⅱ)]~pH热力学平衡图,讨论了化学沉淀法制备磷酸钴的工艺条件.以硝酸钴和磷酸钠溶液为原料的合成实验结构表明,提高溶液中总磷浓度[P],在pH=6~7时可获得纯Co(PO)·8HO微晶.......
[期刊论文] 作者：陈培荣,冯士芬,季幼章,谈永涛,雷慧绪,
来源：电瓷避雷器 年份：2001
提出以共沉淀法再利用ZnO压敏电阻废旧片的工艺方法，讨论了溶解酸、沉淀剂和沉淀pH值的选择，研究了温度对沉淀粒径的影响。结果表明，用共沉淀法粉料比常规法粉料制得的ZnO压敏电......
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