搜索筛选:
搜索耗时1.4603秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 11 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：霍大云,,
来源：苏州大学 年份：2017
微纳制作技术和微纳加工技术的不断突破,极大地促进了低维半导体材料在微电子和光电子领域的应用。随着科学探索不断进步,人们对低维结构材料生长的可控性提出了更高的要求,...
[期刊论文] 作者：霍大云, 赵介军, 过峰,,
来源：物联网技术 年份：2018
针对目前国家基于物联网智能家居MEMS传感器可靠性标准的空白和MEMS传感器可靠性研究不全面等问题,文中提供了一种研究思路:以具体智能家居为立足点,从MEMS传感器实际工作环...
[期刊论文] 作者：过峰,赵介军,霍大云,聂义,,
来源：物联网技术 年份：2017
"互联网+检测"将实现样品检测、设备耗材、数据提取、运行管控、报告形成、客户访问、数据分析等检测工作的智能化管理与自动化操作。目前,多数实验室由于受数据提取、互联互通等技术的限制,使得"互联网+检测"的"最后一公里"无法打通。文中对实验室"互联网+检测......
[期刊论文] 作者：霍大云,石震武,张伟,唐沈立,彭长四,,
来源：物理学报 年份：2017
InGaAs/AlGaAs量子阱是中波量子阱红外探测器件最常用的材料体系,本文以结构为2.4 nm In0.35Ga0.65As/40 nm Al0.34Ga0.66As的多量子阱材料为研究对象,利用分子束外延生长,固...
[期刊论文] 作者：张伟,石震武,霍大云,郭小祥,彭长四,
来源：物理学报 年份：2016
在InAs/GaAs（001）量子点生长过程中,当In As沉积量为0.9 ML时,利用紫外纳秒脉冲激光辐照浸润层表面,由于高温下In原子的不稳定性,激光诱导的原子脱附效应被放大,样品表面出现了...
[期刊论文] 作者：赵介军, 过峰, 聂义, 霍大云, 谢耀聪, 俞建峰,,
来源：物联网技术 年份：2018
目前我国电磁加热器具能效的检测技术无法同时测量多个参数,且人工参与环节较多,检测效率及准确度较低,因此有必要加强电磁加热器具能效检测的多参数和自动化操作过程。文中...
[会议论文] 作者：彭长四,石震武,霍大云,邓长威,陈晨,杨琳韵,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
...
[期刊论文] 作者：霍大云, 孙晨阳, 董军, 赵介军, 过峰, 王振宇, 蒋科,
来源：物联网技术 年份：2019
物联网技术正在影响着每个领域,越来越多的工作、生产和生活的决策行为将日益基于物联网数据分析而做出。物联网技术将万物互联,万物互联即万物数据互联,所以数据采集端可靠...
[期刊论文] 作者：霍大云,石震武,徐超,邓长威,陈晨,张伟,陈林森,彭长四,,
来源：科学通报 年份：2017
在液滴外延生长过程中金属液滴承担着生长前驱体的角色,直接决定着后续量子环、量子点、纳米线等量子结构的密度、尺寸、位置等参数.本文开展了在MBE(molecular beam epitaxy...
[期刊论文] 作者：霍大云,石震武,徐超,邓长威,陈晨,陈林森,王文新,彭长四,
来源：发光学报 年份：2017
InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍（Be）元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移.X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN（Be）/GaAs量子阱在退火过程中的应...
[期刊论文] 作者：霍大云,石震武,徐超,邓长威,陈晨,陈林森,王文新,彭长四,,
来源：发光学报 年份：2017
InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍(Be)元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移。X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN(Be)/GaAs量子阱在退火过程中...
相关搜索：
