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[学位论文] 作者：霍彩红,,
来源： 年份：2005
孔金属化工艺是一个贯穿整个FPCB(挠性印制线路板)生产的关键工艺,包括钻孔、去钻污、化学镀铜、电镀铜等工艺,由于工序长,步骤多,若是处理不好,就会造成产品合格率极低,产生...
[期刊论文] 作者：霍彩红,
来源：俪人：教师 年份：2016
《左传·隐公元年》记载的“郑伯克段于鄢”一文,历来被人们称为《左传》乃至中国古代历史散文的经典.武姜与两个儿子之间的关系可以说是《左传》中最典型的母子关系.在...
[期刊论文] 作者：霍彩红,,
来源：时代报告 年份：2016
民间崇拜是民间信仰的重要体现。在过往研究中，民间崇拜的研究多集中于民间俗神崇拜方面的研究，在历史人物崇拜方面开展研究的比较少。本文以民间信仰中的人物崇拜为研究视角，主......
[期刊论文] 作者：霍彩红,
来源：魅力中国 年份：2020
随着中国经济的快速发展和科学技术的不断进步,现代化建设的速度变得越来越快,建筑业已经得到越来越多的关注,和土木工程施工技术在土木工程的过程中占有重要的地位,本文首先...
[期刊论文] 作者：霍彩红,
来源：城市建设理论研究 年份：2012
摘要：合理确定工程造价，通过有效手段控制好各阶段建设费用，才能达到理想的目的，确保建设项目保质按期完工。 关键字：工程造价前期控制施工控制 中图分类号：TU723.3 文献标识码：A 文章编号： 建设工程造价的确定与投资控制的实质就是运用科学技术原理和经济及......
[期刊论文] 作者：霍彩红,
来源：俪人·教师版 年份：2016
【摘要】《左传·隐公元年》记载的“郑伯克段于鄢”一文，历来被人们称为《左传》乃至中国古代历史散文的经典。武姜与两个儿子之间的关系可以说是《左传》中最典型的母子关系。在以宗法制为核心的春秋时期，作为贵族母亲对于自己的两个亲生儿子却有天壤之别的对待......
[期刊论文] 作者：霍彩红,刘相伍,,
来源：电子工艺技术 年份：2014
主要讨论了半导体芯片的电镀工艺、金属刻蚀工艺对金属电极表面状态的影响。试验发现,电镀工艺中的电流密度、pH值和刻蚀工艺中的刻蚀方法对金属电极的表面状态有很大影响。...
[期刊论文] 作者：赵丽华,霍彩红,
来源：半导体情报 年份：1998
介绍了Ｔｉ－Ａｕ，Ｔｉ－Ｗ－Ｐｔ－Ａｕ，Ｍｏ－Ａｕ，ＴｉＷ－ＡＵ，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ等多种金属膜分别在４００，４２５，４５０，４７５和５００℃，３０分钟等时退火后的显微镜观察和典型样品的俄歇能谱分析结果。结果表明，Ｔｉ由于在Ａｕ中扩散太快，阻挡性能较差而Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ都有较好的阻挡性能，结合实际应用，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ应是同波......
[会议论文] 作者：赵丽华,霍彩红,
来源：中国真空学会第五届学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：霍彩红,何为,范中晓,
来源：表面技术 年份：2003
介绍了碳纤维表面电镀镍的工艺流程.探讨了碳纤维的去胶方法,通过正交实验方法研究了碳纤维增重率、电阻值变化率与电流强度、电镀时间的关系,优化了电镀镍的工艺条件.结果表...
[期刊论文] 作者：范中晓,何为,霍彩红,
来源：现代科学仪器 年份：2005
介绍了虚拟仪器的概念及其系统组成,对利用虚拟仪器技术及LabVIEW软件构建电化学分析测试软、硬件系统进行了研究。试验结果表明利用虚拟仪器技术构建的电化学分析系统不但能...
[期刊论文] 作者：何为,范中晓,霍彩红,
来源：电子科技大学学报 年份：2004
在pH值为5～10的范围内,铊(Ⅰ)与4-吗啉二硫代羧酸钾生成不溶于水的螯合物并定量的吸附在微晶萘的表面上.用15ml 的1.5 mol/L的HCl该不溶性螯合物脱附溶解后,在滴汞电极(DME)上...
[期刊论文] 作者：霍彩红,何为,汪洋,何波,
来源：印制电路资讯 年份：2005
挠性多层线路板已经厂泛应用在通信、航空航天等领域。但是随着板厚／孔径比的增加，孔金属化工艺越来越难，去钻污不净，沉铜不良，造成产品合格率大大下降。本文介绍了挠性板生产的去......
[期刊论文] 作者：李明月,霍彩红,韩东,,
来源：微纳电子技术 年份：2015
采用射频(RF)反应磁控溅射法,以氩气和氮气为反应气体,在不同的RF偏置功率下,在Si(100)和Si(111)衬底上制备了具有六方纤锌矿结构的AlN薄膜。使用扫描电子显微镜(SEM)表征了...
[期刊论文] 作者：赵丽华,李锦标,霍彩红,周明辉,
来源：半导体技术 年份：2002
采用俄歇能谱技术分析了铂层厚度,合金温度及表面染色对铂化硅形成的影响,并分析了王水对铂化硅的作用,给出了分析结果....
[期刊论文] 作者：霍彩红,潘宏菽,刘相伍,程春红,,
来源：半导体技术 年份：2014
针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,...
[期刊论文] 作者：赵丽华,霍彩红,周晓黎,李锦标,周名辉,
来源：半导体情报 年份：1998
介绍了Ｔｉ－Ａｕ，Ｔｉ－Ｗ－Ｐｔ－Ａｕ，Ｍｏ－Ａｕ，ＴｉＷ－Ａｕ，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ等多种金属膜分别在４００，４２５，４５０，４７５和５００℃，３０分钟等时退火后的显微镜观察结果和典型样品的俄歇能谱分析结果。结果表明，Ｔｉ由于在Ａｕ中扩散太快，阻挡性能较差，而Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ都有较好的阻挡性能。结合实际应用，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ应......
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