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[期刊论文] 作者：霍玉柱,
来源：中国科技纵横 年份：2011
木粉输送燃烧系统是节能环保的先进技术，本文详细介绍了“操作规程”和“考核办淡”，以保证木粉输送燃烧系统设备安全运行。...
[期刊论文] 作者：霍玉柱,
来源：中国科技纵横 年份：2011
深入研究分析5000T／Y木粉输送及燃烧技改工程的调试、运行及考核方案，经过经济技术比较，也提出了自己的观点。...
[期刊论文] 作者：霍玉柱,
来源：建材发展导向 年份：2011
结合本单位的实际情况，进行余热计算分析，确定了两种设计方案：包括设计目的、计算过程、方案选择和原理示意图以及第二方案的简单计算和热力系统图等。...
[期刊论文] 作者：霍玉柱,
来源：煤炭技术 年份：2004
分析了等边直伸形导线终边和终点的误差影响,提高导线精度的技术措施,采用原边新角复测法的理论依 据及应用时注意的事项。...
[期刊论文] 作者：霍玉柱,,
来源：科技促进发展 年份：2011
本文介绍某公司把厂区的蒸汽、凝结水、冷却水,尽可能回收利用,从而降低了生产成本,提高了蒸发器的给水温度,节省原煤,经济效果明显。This article describes a company to...
[期刊论文] 作者：霍玉柱,王振宁,
来源：读写算（教师版）：素质教育论坛 年份：2014
著名教育学家叶圣陶先生认为，师生之间应该确立朋友一样的和谐关系。他说：“无论是聪明的，愚蠢的，干净的，肮脏的，我们都应该称他们为小朋友。我要做学生的朋友，我要学生做我的朋友。......
[期刊论文] 作者：霍玉柱,商庆杰,潘宏菽,,
来源：半导体技术 年份：2010
热氧化是碳化硅晶片工艺中一种常用的工艺,但基于硅工艺的氧化温度一般都相对较低,此温度下,碳化硅氧化缓慢,在很多情况下很难满足工艺需求。利用新设计的高温氧化设备对碳化...
[期刊论文] 作者：霍玉柱,商庆杰,潘宏菽,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2010
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：霍玉柱,商庆杰,杨霏,潘宏菽,,
来源：半导体技术 年份：2010
SiC金属．半导体场效应晶体管的工艺研制中，通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法，但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题，若隔离台阶太陡，则栅金属在台阶处连续性较......
[期刊论文] 作者：田爱华,赵彤,潘宏菽,陈昊,李亮,霍玉柱,,
来源：半导体技术 年份：2007
介绍了n^＋-SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n^＋-SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离（0001）方向7.86°的4H-SiC衬底上进行同质外延生长所得。对于n^＋-SiC/...
[期刊论文] 作者：商庆杰,潘宏菽,陈昊,李亮,杨霏,霍玉柱,,
来源：半导体技术 年份：2008
介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监测、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术。芯...
[期刊论文] 作者：陈昊,商庆杰,郝建民,齐国虎,霍玉柱,杨克武,,
来源：半导体技术 年份：2008
以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料。外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直...
[期刊论文] 作者：杨霏,潘宏菽,霍玉柱,商庆杰,默江辉,闫锐,,
来源：微纳电子技术 年份：2011
采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功...
[会议论文] 作者：潘宏菽,杨霏,霍玉柱,商庆杰,李亚丽,周瑞,
来源：2010年全国半导体器件技术研讨会 年份：2010
对已经研制出的S波段连续波状态下输出功率为10 W的Si与SiC功率器件进行了对比分析,SiC微波功率器件无论是在微波功率增益、功率附加效率还是在器件的体积和重量等方面都表现...
[期刊论文] 作者：潘宏菽,李亮,陈昊,齐国虎,霍玉柱,杨霏,冯震,蔡树军,,
来源：半导体技术 年份：2007
采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作...
[期刊论文] 作者：商庆杰,潘宏菽,陈昊,霍玉柱,杨霏,默江辉,冯震,,
来源：半导体技术 年份：2009
针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题，研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面；牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面...
[期刊论文] 作者：陈昊,潘宏菽,杨霏,霍玉柱,商庆杰,齐国虎,刘志平,
来源：微纳电子技术 年份：2004
利用国产Sic外延材料和自主开发的sic器件工艺加工技术,实现了sic微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,初步显...
[会议论文] 作者：陈昊,潘宏菽,杨霏,霍玉柱,商庆杰,齐国虎,刘志平,
来源：2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2010
利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W,功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35％的性能样管,初步显...
[期刊论文] 作者：陈昊,潘宏菽,杨霏,霍玉柱,商庆杰,齐国虎,刘志平,,
来源：微纳电子技术 年份：2011
利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W、功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,初步显现...
[会议论文] 作者：潘宏菽,商庆杰,默江辉,李静强,霍玉柱,杨霏,陈昊,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文以微波SiC MESFET为例，首先要4H半绝缘SiC衬底片上外延一层缓冲层，用来减少衬底对SiC MESFET的影响，然后在缓冲层上生长一层n型的沟道层，再在沟道层上外延一层高掺杂的n型盖帽层用来形成源、漏金属电极的欧姆接触。可见为实现良好的肖特基势垒控制沟道的状况，必......
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