搜索筛选:
搜索耗时3.6212秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 5 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：韩方彬,
来源： 年份：2016
新型电子器件的发展越来越受到学术界和工业领域的关注,尤其是自旋电子学这一方向。在自旋器件中,电子的自旋特性作为信息的传输载体,自旋流的产生,传输和探测是其核心技术。本论文重点就自旋流的产生和探测分离技术这两个方面展开研究,分别采用自旋泵浦和逆自......
[期刊论文] 作者：贾晨阳, 韩方彬, 彭龙新,,
来源：电子元件与材料 年份：2019
研制了一款毫米波(26～40 GHz)平衡式单片放大器芯片。放大器基于0. 15μm GaAs pHEMT工艺,实现了毫米波全频段(26～40 GHz)增益放大。采用Lange桥平衡结构,使放大器较于单边放大...
[期刊论文] 作者：韩方彬,张文旭,彭斌,张万里,,
来源：物理学报 年份：2015
NiFe/Pt双层薄膜样品在铁磁共振时,NiFe磁矩进动所产生的自旋流注入到Pt层中,由于逆自旋霍尔效应产生直流电压VISHE,此电压会叠加到NiFe薄膜由于自旋整流效应而产生的电压VSR...
[期刊论文] 作者：贾晨阳,彭龙新,刘昊,凌志健,李建平,韩方彬,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2019
...
[期刊论文] 作者：张亦斌,吴少兵,李建平,韩方彬,李忠辉,陈堂胜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2021
报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果.在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的“T”型栅结构.器件最大电流密度为1....
相关搜索：
