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[学位论文] 作者：韩驿,,
来源：中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所) 年份：2017
碳化硅材料具有高熔点、高热导率低中子反应截面和耐腐蚀等优点,适用于具有高温、高通量中子辐照环境的先进核能系统中。中子辐照离位损伤与核嬗变反应产物He、H原子共同作用导致材料肿胀、脆化等性能变化,严重影响材料的使用寿命。因此,深入开展He和H共同作用......
[期刊论文] 作者：韩驿, 彭金鑫, 李炳生, 王志光, 魏孔芳, 刘会平, 张,
来源：现代应用物理 年份：2018
利用拉曼光谱研究了He^2＋ 注入六方SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系，并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型，模拟了室温及723，873，1 023 K 下晶体样品的无序度......
[期刊论文] 作者：韩驿,李炳生,王志光,彭金鑫,孙建荣,魏孔芳,姚存峰,高宁,高星,庞立龙,朱亚滨,申铁龙,常海龙,崔明焕,骆鹏,盛彦斌,张宏鹏,方雪松,赵四祥,金锦,黄玉璇,刘超,王栋,何文豪,邓天虞,台鹏飞,马志伟,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
Radiation-induced defect annealing in He~+ ion-implanted 4 H-SiC via H~+ ion irradiation is investigated by Raman spectroscopy. There are 4 H-SiC wafers irradia...
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