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[期刊论文] 作者：赵江,张雷,顾培楼,黄其煜,,
来源：半导体技术 年份：2017
研究了一种0.13μm嵌入式闪存产品量产中常见的由于后段主要金属层互连短路引起的闪存电路读取数值失效的案例。通过采用电学失效分析和物理失效分析,成功观察到了含Cu成分较...
[期刊论文] 作者：赵江,顾培楼,张雷,陈珏,奚晟蓉,
来源：电子与封装 年份：2018
分析了一个发生在0+13um嵌入式闪存芯片中振荡器电路模块失效的案例。通过研究发现此失效与作为门极的多晶硅与后段金属互联线之间金属钨导线的接触电阻(晶体管寄生电阻)有关...
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