搜索筛选:
搜索耗时0.7118秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 14 篇相符的论文内容
发布年度:
[会议论文] 作者：白祖林,颜家圣,
来源：中国电工技术学会电力电子学第五次学术会议 年份：1993
...
[会议论文] 作者：颜家圣,余岳辉,
来源：中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛 年份：2009
新型半导体脉冲功率开关器件RSD具有优良的开通特性，速度快，前沿陡。反向注入电荷并产生等离子体触发，通过控制RSD等离子体层出现的过量电荷耗尽所要求的时间，能确保其正常开通，并获得良好的开通特性。......
[期刊论文] 作者：周霖,颜家圣,李新安,
来源：电力电子技术 年份：2018
为提高绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件在封装中的可靠性,研究了IGBT封装中容易引起局部过热的几种常见现象,提出了优化设计方法和研究分析。结果表明,适当的热设计对IGBT封装中...
[期刊论文] 作者：颜家圣,余岳辉,吴拥军,
来源：电工技术杂志 年份：2002
基于对快速晶闸管在逆变电路中串联失效的分析,通过变换联接形式、电流底宽、温度等试验条件来检验各种因素对晶闸管串联匹配的影响,提出一种晶闸管串联匹配的测试方案。Ba...
[期刊论文] 作者：余岳辉,梁琳,颜家圣,彭亚斌,
来源：中国电机工程学报 年份：2007
研究了一种应用于激光驱动源的大功率超高速半导体开关反向开关晶体管（RSD）的新结构，以实现μs、ns脉宽、MW以上的高重复率脉冲的产生和控制。RSD具有大面积快速均匀开通、可无......
[期刊论文] 作者：梁琳,余岳辉,颜家圣,周郁明,
来源：华中科技大学学报：自然科学版 年份：2007
基于等离子体双极漂移模型，得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管（RSD）的dⅠ／dt耐量解析表达式，分析了RSD的主放电回路模型，在此基础上讨论了影响RSD的dⅠ／dt特性的因素，dⅠ／dt......
[期刊论文] 作者：梁琳,余岳辉,颜家圣,周郁明,,
来源：华中科技大学学报(自然科学版) 年份：2007
基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素...
[会议论文] 作者：余岳辉,颜家圣,刘玉华,彭昭廉,
来源：中国电工技术学会电力电子学会2004年第九届学术年会 年份：2004
基于反向注入控制RSD的大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点,新开通机制的RSD将在脉冲功率技术中获得重要应用.本文研究PSD的开通机理和开通条件,为器件开通特性的改进和预充电路的合理设计提供了依据;实验还表明,由小直径RSD的......
[会议论文] 作者：梁琳,余岳辉,冯仁伟,颜家圣,吴拥军,
来源：2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会 年份：2008
本文对RSD(reversely switched dynistor)开关的关断时间进行了实验研究。根据RSD特殊的工作方式，提出了判别RSD关断的依据和一种RSD关断时间的检测方法，设计并搭建了关断时间...
[会议论文] 作者：余岳辉,李焕汤,彭昭廉,杜如峰,颜家圣,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 年份：2002
新近开发出了用于大功率脉冲电源技术的新型超高速开关RSD,本文介绍了该器件的结构,开通机制,特性及测试实验结果.设计电流10KA、50KA,开通时间数十纳秒,断态重复峰值电压20KV的RSD堆已在实验室制出并在湖北襄樊仪表元件厂合作试生产.......
[期刊论文] 作者：朱玉德,刘小俐,肖彦,张桥,吴拥军,颜家圣,
来源：强激光与粒子束 年份：2014
介绍一种超高速脉冲半导体器件,该器件属于穿通型器件,电压可达到5000 V,电流上升率可以达到20 kA/μs以上,根据参数调配,脉冲峰值电流可以达到数百kA.该器件采用多元胞集成...
[会议论文] 作者：刘绮霞,苏盈盈,谢佩玲,郭禹廷,孙定平,颜家圣,王家豪,
来源：中华医学会2016年器官移植学年会 年份：2016
...
[会议论文] 作者：謝介平,蓝国懋,刘韦呈,孙定平,颜家圣,王家豪,陈贞吟,
来源：中华医学会2016年器官移植学年会 年份：2016
...
[会议论文] 作者：王家豪,颜家圣,陈俊嘉,许向平,刘绮霞,田宇峯,孙定平,
来源：中华医学会2016年器官移植学年会 年份：2016
...
相关搜索：
