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[期刊论文] 作者：颜廷静,唐银甲,
来源：小氮肥 年份：2000
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[期刊论文] 作者：林孟喆,曹青,颜廷静,陈良惠,,
来源：半导体光电 年份：2009
在p-GaN上蒸发Ni/Au电极前,采用王水、HCl、缓冲HF进行前表面处理,O2气氛下退火后,比较各电极样品的I-V特性和表面形貌。结果显示无表面处理时接触电阻最小,且溶剂处理后残留...
[期刊论文] 作者：颜廷静,种明,赵德刚,张爽,陈良惠,,
来源：红外与激光工程 年份：2011
设计并制备出短波长p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器,响应波段为225～255 nm,峰值波长为246nm。材料为在蓝宝石衬底上生长的背照式p-i-n型异质结结构,n型窗口层的AlxGa1-xN中...
[期刊论文] 作者：林孟喆,曹青,颜廷静,张书明,陈良惠,,
来源：半导体学报 年份：2009
The Ni/Au contact was treated with oxalic acid after annealing in O2 ambient,and its I–V characteristic showed the property of contact has been obviously impro...
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