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[期刊论文] 作者：饶祖刚,,
来源：中国集成电路 年份：2003
在当今VLSI进入深亚微米技术的时代，受日益增长的对小型化、高可靠性以及高速度需求的驱使，ASIC厂家已经将注意力转到了集成IP Cores的SOC上。基于IP Cores的SOC技术解决方案已...
[期刊论文] 作者：饶祖刚,,
来源：中国集成电路 年份：2002
本文着重分析了关于CMOS LSI工艺/器件技术研究与开发的主流趋势中所面临的主要技术课题,并就目前所进行的典型的对策进行了研究探讨。阐述了新时期对CMOS LSI工艺与器件技术...
[期刊论文] 作者：饶祖刚,,
来源：中国集成电路 年份：2002
本文着重分析了关于CMOS LSI工艺/器件技术研究与开发的主流趋势中所面临的主要技术课题,并就目前所进行的典型的对策进行了研究探讨。阐述了新时期对CMOS LSI工艺与器件技术...
[会议论文] 作者：饶祖刚;,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文对IGBT器件形貌结构的实现进行了阐述，包括器件元胞的形貌结构、器件终端的形貌结构和超薄片加工工艺。本文所阐述的方法和相关问题均来自于1200 V沟槽栅FS-IGBT器件...
[会议论文] 作者：饶祖刚,路红刚,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
在采用双层金属铝布线工艺的ＣＺ４产品试生产过程中，作为两层金属布线间连接的开孔，通孔的刻蚀是一个难点。该文阐述了作者对通孔刻蚀过程中孔侧壁生成物形成机理的一些见解，并根据自......
[期刊论文] 作者：叶建新,饶祖刚,陈则瑞,关东红,
来源：集成电路应用 年份：2002
本文综述了亚微米、深亚微米集成电路工艺的主要特点、关键工艺及其实现方法，涉及高低压混载CMOS、DMOS、E^2PROM工艺。...
[期刊论文] 作者：叶建新,饶祖刚,陈则瑞,关东红,,
来源：中国集成电路 年份：2002
本文综述了亚微米、深亚微米集成电路工艺的主要特点、关键工艺及其实现方法,涉及高低压混载CMOS、DMOS、E~2PROM工艺。...
[会议论文] 作者：饶祖刚,王锐,陆界江,赵雁,高景倩,
来源：第二十五届中国(天津)2011’IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议 年份：2011
近年来随着ICBT器件技术的快速发展，采用沟槽栅和场终止(FS)的器件结构成为新一代技术的亮点。本文提出了一种新型的沟槽栅制造方法和一种超薄硅片加工方法，并对器件的终端结构进行了讨论；也探讨了在沟槽栅FS-IGBT器件研发过程中遇到的器件形貌结构上的问题，分析了......
Design and optimization of linearly graded-doping junction termination extension for 3.3-kV-class IG
[期刊论文] 作者：蒋华平,陈万军,刘闯,饶祖刚,董彬,张波,,
来源：半导体学报 年份：2011
A linearly graded-doping junction termination extension(LG-JTE) for 3.3-kV-class insulated gate bipolar transistors(IGBTs) was proposed and experimentally inves...
Experimental study of the anode injection efficiency reduction of 3.3-kV-class NPT-IGBTs due to back
[期刊论文] 作者：蒋华平,张波,刘闯,陈万军,饶祖刚,董彬,,
来源：半导体学报 年份：2012
The anode injection efficiency reduction of 3.3-kV-class non-punch-through insulated-gate bipolar transistors (NPT-IGBTs) due to backside processes is experimen...
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