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[学位论文] 作者：马俊彩,,
来源： 年份：2012
由于其宽带隙、高电子漂移速度、高临界击穿电场强度、强自发极化及压电极化等突出优点，GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在制作高频、高功率、抗辐射等电子器件方面具有得天独...
[期刊论文] 作者：马俊彩,,
来源：科学大众(科学教育) 年份：2014
在新课程的实施过程中,要实现语文课程工具性和人文性的和谐统一,就要抓住语言训练这个核心。教师可以从以下四个方面聚焦语言训练,提高语文教学实效:一是咬文嚼字,二是反复...
[期刊论文] 作者：马俊彩,
来源：东西南北：教育 年份：2020
目前人社局的档案管理工作仍然存在严峻的挑战，但是这种挑战是时代发展的必然，需要人社局客观看待，并制定相关的制度和措施进行解决。面对信息化的时代，各行各业都在致力于提高工......
[期刊论文] 作者：马俊彩,
来源：东西南北：教育 年份：2020
计算机信息技术是时代进步与发展的重要产物，给整个经济社会都带来了强劲的发展动力。将计算机信息技术融入档案管理工作中，能够有效地提高档案管理工作的效率，提高档案资源的利......
[期刊论文] 作者：马俊彩,,
来源：农村.农业.农民 年份：2000
河南省舞阳县人民医院,成立于1952年综合性医院,又是县医疗急救中心。改革开放以来,特别是在1998年医院“以改革求发展,以质量求生存,以管理求效立了良好的运行机制,使医院...
[会议论文] 作者：杜大超;林志宇;马俊彩;张进成;郝跃;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
采用自制MOCVD系统研究了成核层温度对外延N面GaN的影响。XRD结果显示,低温氮化镓成核层外延薄膜有着较低的(002)和(102)XRD半高宽(FWHM)。Hall测量表明,高温氮化镓外延薄膜...
[会议论文] 作者：陈珂;王昊;马俊彩;付小凡;张进成;郝跃;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
采用MOCVD方法在蓝宝石村底上生长了A10.3Ga0.7N/ALN/In0.03Ga0.97N/GaN双异质结构,其中AIN阻挡层生长温度分别采用800℃低温和1050℃高温两种进行了对比。霍尔测试显示,AIN...
[会议论文] 作者：李祥东,张进成,史林玉,马俊彩,郝跃,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：付小凡;王昊;林志宇;马俊彩;刘子扬;张进成;郝跃;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
采用多层异质结形成多沟道结构,以降低AlGaN/GaN异质结构方块电阻,提高其电特性。本文以双沟道为主,讨论势垒层不同掺杂情况下外延结构的电特性。实验中,样品A两层AlGaN势垒...
[期刊论文] 作者：薛晓咏, 许晟瑞, 张进成, 林志宇, 马俊彩, 刘子扬, 薛军,
来源：null 年份：2012
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[期刊论文] 作者：林志宇, 张进成, 许晟瑞, 吕玲, 刘子扬, 马俊彩, 薛晓咏,
来源：物理学报 年份：2012
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[期刊论文] 作者：马俊彩,张进成,薛军帅,林志宇,刘子扬,薛晓咏,马晓华,郝跃,,
来源：半导体学报 年份：2012
We studied the performance of AlGaN/GaN double heterojunction high electron mobility transistors (DH-HEMTs) with an AlGaN buffer layer,which leads to a higher p...
[期刊论文] 作者：薛晓咏,许晟瑞,张进成,林志宇,马俊彩,刘子扬,薛军帅,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
First-order Raman scatterings of hexagonal GaN layers deposited by the hydride vapour phase epitaxy and by metal-organic chemical vapour deposition on SiC and s...
[期刊论文] 作者：林志宇,张进成,许晟瑞,吕玲,刘子扬,马俊彩,薛晓咏,薛军帅,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2012
利用MOCVD技术在斜切角度为0.3°的c面蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用透射电子显微镜对材料的质量和材料内部缺陷进行了分析.研究发现斜切蓝宝石衬底上外延的Ga...
[期刊论文] 作者：许晟瑞,郝跃,张进成,薛晓咏,李培咸,李建婷,林志宇,刘子扬,马俊彩,贺强,吕玲,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
The anisotropic strain of a nonpolar (1120) a-plane GaN epilayer on an r-plane (1102) sapphire substrate, grown by low-pressure metal-organic vapour deposition...
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