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[期刊论文] 作者：骥刚,
来源：上海财税 年份：1995
俗话说，事不过三，三遭为走。所以做坏事者，重复三次，就要败露。说来也巧，湖州农民郑某的偷税案，竟与一连串的“三”字有关。1991年初，郑某从家乡来上海闯荡，到1991年初正好满3年。他......
[期刊论文] 作者：孔骥刚,
来源：上海财税 年份：1995
今年5月下旬，杨浦税务稽查中队接到举报：海口H公司驻沪办事处，借密云路等钢材交易市场之名进行场外交易，开具外省市发票，有偷税嫌疑。突击检查在进行一番外围摸底后，由队长指挥，小叶......
[学位论文] 作者：马骥刚,
来源：西安电子科技大学 年份：2011
GaN材料作为新型第三代半导体材料，具有击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等优良特点，在高温、高频、大功率应用方面具有非常广阔的前景，也已经取得了相当大的进展。本......
[学位论文] 作者：刘骥刚,
来源：华中科技大学 年份：2003
该文首先提出了基于CMAC神经网络的SLS 工艺参数优化系统的总体方案;之后对本系统中的主要关键技术CMAC神经网络,包括它的基本结构与学习算法以及其它一些关键性技术细节问题...
[期刊论文] 作者：孔骥刚,李键,
来源：上海财税 年份：1996
国家为了鼓励学校改善教学条件、安置残疾人就业以及扶持一些新办企业，对话上一天办、民政福利、三资企业给予一定的税收优惠政策，这无可厚非。然而，一些企业不是珍惜政策，将精力......
[期刊论文] 作者：孙骥刚, 何德生,,
来源：上海财税 年份：1998
...
[期刊论文] 作者：王培荣,孔骥刚,
来源：上海财税 年份：1994
【正】杨浦区税务分局引进了具有九十年代先进技术水平的电话声讯系统，5月12日开通的税务电话咨询系统实行24小时服务，市民使用普通电话，拔通税务电话咨询台的电...
[期刊论文] 作者：师全仁,张巧玲,马成骥,刚美琳,
来源：寄生虫学与寄生虫病杂志 年份：1991
1989年6月,我们按全国人体寄生虫病分布调查实施细则的要求和方法选择了宁夏有回、汉族的平罗县进行了人体肠道寄生虫感染的调查。共检查997人,查见肠道寄生虫感染者303例,感...
[期刊论文] 作者：刘骥刚,史玉升,黄树槐,陈幼平,
来源：机械科学与技术 年份：2004
目前,在SLS成形的过程中,成形工艺参数的制定没有一个系统的理论体系和科学方法,基本上是凭人的经验来确定的,当成形设备、烧结材料和成形件的几何形状发生变化时,成形工艺参...
[期刊论文] 作者：全思,郝跃,马晓华,谢元斌,马骥刚,,
来源：半导体学报 年份：2009
The fabrication of enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs by fluorine plasma treatment on sapphire substrates is reported.A new method is used to fabricate devices wi...
[会议论文] 作者：马骥刚,焦颖,贺强,马晓华,王冲,郝跃,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
采用短时间关态应力,对AlGaN/GaN HEMT器件的Kink效应进行研究。短时间应力未导致器件发生明显的退化,因此它可以作为Kink效应的电学表征手段。我们发现,关态应力(Vds20v&Vgs=20v&Vs=OV)后,pre-kink区的电流减小了28％,Gd.peak增大一倍,Kink效应明显增强。应力前......
[会议论文] 作者：杨丽媛,潘才渊,马骥刚,郝跃,王冲,马晓华,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
对AlGaN/GaN HEMT器件进行了高温测试,得到了器件直流、交流特性随着环境温度升高而退化的规律。实验发现,200℃下器件的主要参数如饱和电流和峰值跨导等均发生明显退化。分析表明,器件直流特性的退化主要源于高温下2DEG迁移率的明显降低,此外2DEG密度的降低也......
[期刊论文] 作者：马晓华,马骥刚,杨丽媛,贺强,焦颖,马平,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
The kink effect is studied in an AlGaN/GaN high electron mobility transistor by measuring DC performance during fresh, short-term stress and recovery cycle with...
[会议论文] 作者：马骥刚[1]焦颖[1]贺强[1]马晓华[2]王冲[3]郝跃[3],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
采用短时间关态应力,对AlGaN/GaN HEMT器件的Kink效应进行研究。短时间应力未导致器件发生明显的退化,因此它可以作为Kink效应的电学表征手段。我们发现,关态应力(Vds20v&Vgs...
[期刊论文] 作者：杨丽媛,郝跃,马晓华,张进成,潘才渊,马骥刚,张凯,马平,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
Direct current(DC) and pulsed measurements are performed to determine the degradation mechanisms of Al-GaN /GaN high electron mobility transistors(HEMTs) under...
[会议论文] 作者：杨丽媛[1]潘才渊[2]马骥刚[2]郝跃[1]王冲[1]马晓华[3],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
对AlGaN/GaN HEMT器件进行了高温测试,得到了器件直流、交流特性随着环境温度升高而退化的规律。实验发现,200℃下器件的主要参数如饱和电流和峰值跨导等均发生明显退化。分...
[期刊论文] 作者：马晓华,焦颖,马平,贺强,马骥刚,张凯,张会龙,张进成,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
In spite of their extraordinary performance,AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) still lack solid reliability.Devices under accelerated DC stres...
[期刊论文] 作者：马晓华,马平,焦颖,杨丽媛,马骥刚,贺强,焦莎莎,张进成,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
Magnetotransport measurements are carried out on the AlGaN/AlN/GaN in an SiC heterostructure,which demonstrates the existence of the high-quality two-dimensiona...
[期刊论文] 作者：马骥刚,马晓华,张会龙,曹梦逸,张凯,李文雯,郭星,廖雪阳,陈伟伟,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2012
初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系.该...
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