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[期刊论文] 作者：高利朋,
来源：党史博采：纪实版 年份：2006
正西乡地处永年县东北部，毗邻鸡泽、南和、沙河三县（市）。过去曾是信息闭塞、交通不便和基础落后的代名词。今天，如果沿着刚竣工的村村通道路环绕全乡。就会感受到它翻天覆地的变......
[学位论文] 作者：高利朋,
来源：中国科学院大学 年份：2013
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[期刊论文] 作者：高利朋,韩培德,毛雪,范玉杰,胡少旭,,
来源：人工晶体学报 年份：2012
本文在n型硅中通过离子注入方法用500 keV的能量注入剂量为1×1014cm-2的过量S以引入杂质,并通过深能级瞬态谱方法(DLTS)对离子注入引入的深能级进行研究,得到多个S的深...
[期刊论文] 作者：冉启江,韩培德,全宇军,高利朋,曾凡平,赵春华,,
来源：半导体光电 年份：2009
在SOI脊形波导上通过光刻的方法制作了高阶布拉格光栅。采用顶层Si厚为2μm的SOI基片,通过半导体芯片制备中的光刻工艺,在脊高为935 nm,波导宽度为2μm的脊形波导上,分别制作...
[期刊论文] 作者：曾凡平,韩培德,高利朋,冉启江,毛雪,赵春华,米艳红,,
来源：光通信技术 年份：2009
硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景。文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和AlGaInAs-Si混合集成等四......
[会议论文] 作者：李辛毅;韩培德;高利朋;胡少旭;范玉杰;梁鹏;邢宇鹏;叶舟;,
来源：第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) 年份：2012
利用硫系元素在晶体硅带隙中引入的深能级在禁带中的位置离价带和导带都比较远,高浓度掺杂深能级杂质的材料禁带变窄效应不显著,高浓度深能级中心波函数相互交叠,载流子可以...
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