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[期刊论文] 作者：高大超,,
来源：人工晶体 年份：1985
本文提出一种劳厄衍射斑点指标化新方法——变换倒易坐标法。本方法适用于七大晶系的各个对称和非对称晶面,而具体坐标变换公式适用于除三斜晶系之外的其他六大晶系。实践证...
[期刊论文] 作者：高大超,A.POGANY,A.W.STEVENSON,T.G,
来源：物理学报 年份：2004
常规X射线成象技术是建立在吸收衬度和几何光学基础上.介绍了"in-line"位相衬度成象技术和成象理论.以生物样品为例,说明常规X射线吸收衬底成象与位相衬度成象的差别,并对X射...
[期刊论文] 作者：冯禹臣,高大超,袁佑荣,
来源：半导体光电 年份：1987
本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位...
[期刊论文] 作者：高大超,冯禹臣,袁佑荣,
来源：半导体学报 年份：1988
作者在MBE法和LPE法生长的GaAlAs/GaAs外延片中观察到了多层膜的X射线干涉条纹.用X射线双晶测角仪记录了这种干涉条纹,并从条纹振荡的周期计算出外延片中相应外延层的厚度.在...
[期刊论文] 作者：冯禹臣,高大超,袁佑荣,
来源：发光学报 年份：1988
本文介绍了用非平行非对称(+、-)双晶X射线形貌术研究Ⅲ—Ⅴ族化合物外延晶体的设置和原理。分析了外延后形成的弯曲样品造成的衍射效应。对分子束外延(MBE)法生长的GaAs/AlG...
[期刊论文] 作者：冯禹臣,高大超,袁祐荣,江田和生,
来源：发光学报 年份：1987
本文介绍了用X射线双品形貌术研究MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料中的生长缺陷、位错及其对发光性能的影响。同时研究了低温下MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料的正交方向的...
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