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[学位论文] 作者：魏鸿源,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2007
ZnO是目前光电领域研究的热点材料，因其优良的光电性质得到了广泛关注。本论文主要研究的是ZnO一维纳米阵列和薄膜的MOCVD生长和发光机制，通过研究各种MOCVD设备的特点，自行研制......
[期刊论文] 作者：何天立, 魏鸿源, 李成明, 李庚伟,,
来源：物理学报 年份：2019
研究了过渡族难熔金属Hf体系Hf/Al电极在不同退火条件下与In型GaN的欧姆接触特性,并与Ti基Ti/Al电极进行了对比.采用圆点型传输线模型测量了Hf/Al和Ti/Al电极的比接触电阻率....
[会议论文] 作者：冯玉霞,杨少延,魏鸿源,杨学林,沈波,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
二元氮化物根据四面体中原子的排列顺序不同,可将晶体结构分为三种:纤锌矿结构(WZ),闪锌矿结构(ZB)和岩盐矿结构.其中六方纤锌矿Ⅲ族氮化物为稳定结构,在通常生长条件下为主...
[会议论文] 作者：冯玉霞,魏鸿源,杨少延,杨学林,沈波,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
二元氮化物根据四面体中原子的排列顺序不同,可将晶体结构分为三种:纤锌矿结构(WZ),闪锌矿结构(ZB)和岩盐矿结构.其中六方纤锌矿Ⅲ族氮化物为稳定结构,在通常生长条件下为主要晶相.在生长Si(111)衬底AlN的过程中,出现了立方相AlN,通过研究材料生长工艺对薄膜中......
[期刊论文] 作者：胡卫国,魏鸿源,焦春美,康亭亭,张日清,刘祥林,
来源：半导体学报 年份：2007
用金属有机物气相外延在纳米棒ZnO模板上沉积AlN薄膜.SEM测试表明该薄膜形成了一种倾倒纳米棒的表面.而GIXRD测试进一步证实它是纤锌矿结构的AlN，晶粒尺度约为12nm，接近于ZnO纳...
[期刊论文] 作者：胡卫国,魏鸿源,焦春美,康亭亭,张日清,刘祥林,,
来源：半导体学报 年份：2007
用金属有机物气相外延在纳米棒ZnO模板上沉积AlN薄膜.SEM测试表明该薄膜形成了一种倾倒纳米棒的表面.而GIXRD测试进一步证实它是纤锌矿结构的AlN,晶粒尺度约为12nm,接近于ZnO...
[期刊论文] 作者：高洁,姚威振,杨少延,魏洁,李成明,魏鸿源,
来源：功能材料 年份：2021
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)衬底上制备了ZrN薄膜,通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜以及霍尔测量等测试分析手段表征了薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能。结果表明,制备的ZrN薄膜为立方相NaCl结构,具有(111)面择优取向......
[期刊论文] 作者：高洁,姚威振,杨少延,魏洁,李成明,魏鸿源,
来源：人工晶体学报 年份：2021
利用直流反应磁控溅射法在Si衬底上沉积了高结晶质量的氮化锆(ZrN)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和光谱椭偏仪(SE)研究了沉...
[期刊论文] 作者：蔡芳芳,魏鸿源,范海波,杨安丽,张攀峰,刘祥林,
来源：人工晶体学报 年份：2008
本文研究了在金属有机化学气相沉积法（MOCVD）生长过程中，锌（Zn）源和氧（O）源载气流量的改变对ZnO纳米棒阵列的影响。通过改变源材料载气的流量，得到了直径从150nm到20nm范围、均一性明......
[期刊论文] 作者：蔡芳芳,魏鸿源,范海波,杨安丽,张攀峰,刘祥林,,
来源：人工晶体学报 年份：2008
本文研究了在金属有机化学气相沉积法(MOCVD)生长过程中,锌(Zn)源和氧(O)源载气流量的改变对ZnO纳米棒阵列的影响。通过改变源材料载气的流量,得到了直径从150nm到20nm范围、...
[期刊论文] 作者：张攀峰,魏鸿源,范海波,丛光伟,杨少延,朱勤生,刘祥林,
来源：半导体学报 年份：2007
在c面和r面蓝宝石上用氧气和甲醇作为氧源分别沉积了ZnO薄膜.用X射线双晶衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜综合表征.证实了,面蓝宝石的表面能...
[会议论文] 作者：张攀峰,魏鸿源,范海波,丛光伟,杨少延,刘祥林,朱勤生,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文在c面和r面蓝宝石上用氧气和甲醇作为氧源分别沉积了ZnO薄膜.用X射线双晶衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜综合表征.证实了r面蓝宝石的表面能比c面的小,更有利于增原子的迁移,从而实现ZnO的二维生长.发现甲醇作为氧源生长的薄......
[期刊论文] 作者：王振华,杨安丽,刘祥林,魏鸿源,焦春美,朱勤生,杨少延,王占,
来源：人工晶体学报 年份：2010
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）工艺在硅（111）衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600℃。薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射......
[期刊论文] 作者：王振华,杨安丽,刘祥林,魏鸿源,焦春美,朱勤生,杨少延,王占,
来源：人工晶体学报 年份：2004
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600 ℃.薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及...
[期刊论文] 作者：王振华,杨安丽,刘祥林,魏鸿源,焦春美,朱勤生,杨少延,王占国,,
来源：人工晶体学报 年份：2010
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600℃。薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及...
[期刊论文] 作者：王建霞,汪连山,张谦,孟祥岳,杨少延,赵桂娟,李辉杰,魏鸿源,王占国,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
In this paper, we use the a-plane InGaN interlayer to improve the property of a-plane GaN. Based on the a-InGaN interlayer, a template exhibits that a regular,...
[期刊论文] 作者：王建霞,汪连山,张谦,孟祥岳,杨少延,赵桂娟,李辉杰,魏鸿源,王占国,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
In this paper,we use the a-plane InGaN interlayer to improve the property of a-plane GaN.Based on the a-InGaN interlayer,a template exhibits that a regular,poro...
[期刊论文] 作者：张攀峰，魏鸿源，范海波，丛光伟，杨少延，朱勤生，刘祥林，ZhangPanfeng，WeiHongyuan，FanHaibo，CongGuangwei，YangShaoyan，ZhuQinsheng，LiuXianglin,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：王建霞,汪连山,杨少延,李辉杰,赵桂娟,张恒,魏鸿源,焦春美,朱勤生,王占国,,
来源：Chinese Physics B 年份：2014
The effects of V/Ⅲgrowth flux ratio on a-plane GaN films grown on r-plane sapphire substrates with an InGaN interlayer are investigated.The surface morphology,...
[期刊论文] 作者：牛慧丹,孔苏苏,杨少延,刘祥林,魏鸿源,姚威振,李辉杰,陈庆庆,汪连山,王占国,
来源：发光学报 年份：
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