搜索筛选:
搜索耗时1.4139秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：鲍全顺,
来源：浙江大学 年份：2023
氮化镓（GaN）材料因禁带宽度大、临界击穿电场高等特点,是第三代半导体材料的代表,被广泛应用于消费电子、射频通信等领域,满足日益增长的高频、高功率密度和高效率的需求。GaN增强型高电子迁移率晶体管（E-HEMT）含Al GaN/GaN异质结形成的二维电子气（2DEG）,电子饱和速度......
相关搜索：
