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[期刊论文] 作者:沈文正,黄敝,
来源:微电子学与计算机 年份:2004
在文献〔1〕推导的器件物理的基础上,本文对注入型电路的器件设计和线路设计进行了初步的总结。在版图与工艺的设计方面,讨论了注入型电路的扇入扇出特性的设计、基极自偏效...
[期刊论文] 作者:余山,章定康,黄敝,,
来源:电子工艺技术 年份:1991
反应离子刻蚀工艺是微细加工的普遍工艺,用开制做各种集成电路。本文对用CF_4+O_2为反应气体RIE Si_3N_4进行了研究,取得了较好的结果。Reactive ion etching process is a...
[期刊论文] 作者:彭忠献,王方,李荫波,黄敝,
来源:微电子学与计算机 年份:1990
在VLSI 工艺中,U 型槽隔离方法很重要.本文报道了采用CF_4、SF_6、Ar、Cl_2、O_2、BCl_3、CHF_3等气体及其混合物进行的RIE(反应离子刻蚀)实验,发现Cl_2+Ar 最适用于深U 型槽...
[期刊论文] 作者:沈文正,郑木财,伊春乐,黄敝,
来源:微电子学与计算机 年份:1980
在文献〔1〕推导的器件物理的基础上,本文对注入型电路的器件设计和线路设计进行了初步的总结。在版图与工艺的设计方面,讨论了注入型电路的扇入扇出特性的设计、基极自偏效...
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