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[学位论文] 作者：黄秋培,
来源：电子科技大学 年份：2022
当第一块芯片诞生起,静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）现象就严重威胁集成电路产品的安全。所以在集成电路产业中,ESD现象造成了极其严重的损失。一方面ESD防护的设计窗口上限电压和下限电压逐渐靠拢。因此,在低压ESD保护设计中,回滞型ESD保护器件要求器件......
[期刊论文] 作者：蒋琳玲,黄秋培,黄攀,,
来源：商业会计 年份：2012
中越两国在地域上相邻,在经济交往上也比其他东盟国家要多,都处在中国—东盟自贸区中,随着两国投融资活动的增加,对会计信息的可比性、可理解性和会计准则提出了新的要求,因...
[期刊论文] 作者：廖昌俊,黄秋培,何明昊,王鑫,郑童文,刘继芝,
来源：微电子学 年份：2021
提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR).PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定.器件具有触发电压低的优点.实验结果表明,通过调整PMTSCR器件的结构参数,相比于传统低电压触发SCR器件(LVTSCR),PMTSCR器......
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