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[期刊论文] 作者：朱思成,默立冬,,
来源：半导体技术 年份：2013
采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7～13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中。电路采用两级级联的...
[期刊论文] 作者：李远鹏,吴洪江,默立冬,,
来源：半导体技术 年份：2009
分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC C1G2协议,提出半无源及有源电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、偏置单元、上电复位、解调、反向散射调制、振荡器等部分。采用多种方法,极大程度上实现了电路整体的低功耗,并且采取了限幅、ESD电路,保障了......
[期刊论文] 作者：陈凤霞,默立冬,吴思汉,,
来源：半导体技术 年份：2008
采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1∶2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成。HBT工艺具有速度快、相位噪...
[期刊论文] 作者：默立冬,陈凤霞,李远鹏,,
来源：半导体技术 年份：2009
给出了采用虚地和反馈等原理实现振荡器设计的方法,该方法改变了设计振荡器的传统观念,不同形式的振荡电路总是可以变成放大器和移相选频网络级联,后经反馈构成。并给出了完...
[期刊论文] 作者：杜鹏搏,默立冬,苏国东,蔡树军,
来源：杭州电子科技大学学报:自然科学版 年份：2020
基于GaN HEMT工艺,对HEMT器件大信号模型进行研究,并设计了一款工作频率范围为42~46 GHz的功率放大器芯片。电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,...
[期刊论文] 作者：白元亮,张晓鹏,陈凤霞,默立冬,,
来源：半导体技术 年份：2013
采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路...
[期刊论文] 作者：任怀龙,陈兴,默立冬,廖斌,吴洪江,
来源：半导体技术 年份：2008
介绍了等精度测频的基本原理，以此为基础，设计了一种用于测量射频信号频率的单片集成电路。着重阐述了频率测量单片集成电路的构成和高频信号转换电路的设计。该电路芯片在0．18......
[期刊论文] 作者：王绍东,高学邦,吴洪江,王向玮,默立冬,,
来源：半导体学报 年份：2008
提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器.该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式,实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出.通过将MMIC技术与混...
[期刊论文] 作者：王绍东,高学邦,吴洪江,王向玮,默立冬,
来源：半导体学报 年份：2008
提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器．该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式，实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出．通过将MMIC技术与混合...
[期刊论文] 作者：任怀龙, 默立冬, 吴思汉, 陈兴, 冯威, 廖斌, 吴洪江,
来源：半导体技术 年份：2008
介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术。采用0．18μm CMOS工艺，使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5．8GHzCMOS混频器电路，结果表明，工作电压1．8V时，RF频率5．8GHz，本振频率5．7......
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