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[期刊论文] 作者：A.F.Podell,李浩模,,
来源：半导体情报 年份：1981
本文的目的是发展一种建立在低噪声 FET 放大器基础上的设计理论。它不是一个 GaAsFET 噪声机理的基本模型。或者说,是试图从物理上建立可测量的器件电容和电阻与器件噪声系...
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