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[会议论文] 作者：-R.Ding(丁富荣),A.Vantomme,Q.Zhao,B.Pipeleers,K.Jacobs,I.Moerman,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
在室温下,140keV Zn分别沿GaN的沟道方向和随机方向注入,注入剂量分别为1×10cm和3×10cm.高分辨透射电镜的观察结果表明,在3×10cm注入剂量下,GaN的表面有纳米范围的碎晶和非晶和混合层形成,而在1×10cm沟道注入情况下,表面只有小角晶界出现.表面层以下则是含......
[会议论文] 作者：F.R.Ding(丁富荣),A.Vantomme,Q.Zhao,B.Pipeleers,K.Jacobs,I.Moerman,K.Iakoubovskii,G.J.Adriaenssens,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
在室温下,140keV Zn分别沿GaN的沟道方向和随机方向注入,注入剂量从10/cm到4×10/cm范围.注入后的样品在流动N气中经1100℃和30秒的快速退火处理.光致发光(PL)测量结果表明,...
[会议论文] 作者：-R.Ding(丁富荣)[1]A.Vantomme[2]Q.Zhao[2]B.Pipeleers[2]K.Jacobs[3]I.Moerman[3],
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
在室温下,140keV Zn分别沿GaN的沟道方向和随机方向注入,注入剂量分别为1×10cm和3×10cm.高分辨透射电镜的观察结果表明,在3×10cm注入剂量下,GaN的表面有纳米范围的碎晶和...
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