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[期刊论文] 作者：B.R.Bemett,黄定礼,
来源：微电子学 年份：1987
我们论述了一种适用于CVD二氧化硅的新的低压和低温工艺,这种新的工艺与常规低压CVD工艺不同。采用这种新工艺时低温(150～300℃)和独特压力范围(2～10乇)提供适合于硅烷和氧进行...
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