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[期刊论文] 作者:WANG Baoqiang,WANG Hongzhu,CUI, 来源:黑龙江科技学院学报 年份:2017
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者:DU BaoQiang,WANG YanFeng,CUI G, 来源:中国科学:物理学、力学、天文学英文版 年份:2013
According to the time&space conversion relations and different frequency phase detection principle,an ultra-high precision time&frequency measurement method is...
[期刊论文] 作者:Yongde CUI,Baoqiang WANG,Yongjing ZHAO,Nick R.BOND,Hongzhu WANG, 来源:海洋湖沼学报(英文版) 年份:2022
Estimating recovery times from pollution incident is an important issue of targeted biomonitoring programs. In the present study, the impact and recovery of macroinvertebrate communities from a cadmium wastewater discharge in the Longjiang ......
[期刊论文] 作者:DU BaoQiang,WANG YanFeng,CUI GuangZhao,GUO ShuTing,DONG ShaoFeng,LIU Dan,, 来源:Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 年份:2013
According to the time&space conversion relations and different frequency phase detection principle,an ultra-high precision time&frequency measurement method is...
[期刊论文] 作者:Liwei Wang,Zhiqiang Zhou,Ronggai Li,Jianfeng Weng,Quanguo Zhang,Xinghua Li,Baoqiang Wang,Wenying Zhang, 来源:作物学报(英文版) 年份:2021
Flowering time is an indicator of adaptation in maize and a key trait for selection in breeding. The genetic basis offlowering time in maize, especially in resp...
[会议论文] 作者:Yuwei Zhang,张雨溦,Yang Zhang,张杨,Baoqiang Wang,王宝强,Zhanping Zhu,朱战平,Yiping Zeng,曾一平, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAsSb结构的高电子迁移率晶体管(HEMTs)。生长中采用了新型挡板开关顺序,实验发现,室温下非有意掺杂的HEMT结构二维电子气迁移率可以达到16170 cm2/Vs,实验研究了生长温度对二维电子气迁移率的影响。......
[会议论文] 作者:Yang Zhang,Yuwei Zhang,Yanbo Li,Chengyan Wang,Min Guan,Lijie Cui,Baoqiang Wang,Zhanping Zhu,Yiping Zeng, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
  采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAs高电子迁移率晶体管结构,研究了室温下InAs沟道厚度对二维电子气迁移率的影响。研究发现,一个较厚的沟道...
[会议论文] 作者:Yang Zhang,张杨,张雨溦,Yuwei Zhang,Yanbo Li,李彦波,Chengyan Wang,王成艳,Min Guan,关敏,Lijie Cui,崔利杰,Baoqiang Wang,, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAs高电子迁移率晶体管结构,研究了室温下InAs沟道厚度对二维电子气迁移率的影响。研究发现,一个较厚的沟道对提高二维电子气迁移率有很大的作用。研制的AlSb/InAs HEMT室温下迁移率最高达到了23050c......
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